氧施主和氧沉淀关系（英文）_ftp.pdfVIP

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2017-08-17 发布于湖北
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Phys. Status Solidi C 8, No. 3, 666–669 (2011) / DOI 10.1002/pssc.201000285 a s i c c u d i t i s a l o y p s s t s h s p current topics in solid state physics Study of oxygen clustering in Czochralski silicon at 450 °C–800 °C: correlation with thermal donors formation B. Moumni, A. Ben Jaballah, S. Aouida, and B. Bessaïs* Photovoltaic Laboratory, Research and Technology Centre of Energy, PB 95, 2050 Hammam Lif, Tunisia Received 2 May 2010, revised 26 May 2010, accepted 26 May 2010 Published online 21 January 2011 Keywords Cz silicon, thermal treatment, thermal oxygen defect, FTIR spectroscopy __________________ * Corresponding author: e-mail brahim.bessais@crten.rnrt.tn The understanding of the generation-annihilation modes appearing in the 580 cm-1-500 cm-1 spectral range phenomena of oxygen-related thermal donors (TDs) in p-