单片机讲义3.pptVIP

第三章 存储器与布尔处理器 3.1 概述 3.2 存储器结构. 3.3 外部存储器与访问 3.4 寻址方式 概述 存储器的功能是存储信息(程序和数据)，按配置方法分主存和外存。 主存用来存放当前执行的程序和数据，主机能直接访问，存取速度快，容量小； 外存用来存放当前暂不执行的程序和数据，主机不直接访问外存，存取速度慢，但容量大。 单片机主要配置主存,首先介绍半导体存储器 随机存取存储器RAM 随机存取存储器RAM特点： 是可对任意存储单元需要随时读出或写入，工作速度快。 按制造工艺分： 双极型RAM 以双极型晶体管为基本元件构成单元电路的存储器。特点是工作速度快(10-45ns)，功耗大，集成度低，价格贵。 MOS型RAM 由mos管构成基本单元电路及外围电路的存储器。特点是工作速度稍慢(200-450ns)，功耗低，集成度高，价格便宜。按存储信息方式分为静态RAM和动态RAM两种 随机存取存储器RAM 静态RAM 静态RAM采用mos管触发器作为基本单元电路，由触发器的两个稳定状态来存储0或1信息，状态稳定。非破坏性读出，不需刷新，断电后所存信息才消失。 单片机外部数据存储器常用静态RAM，例如：2114（1K*4B）、6116(2K*8B)、6264 (2K*16B) 。 动态RAM 动态RAM采用mos管栅极电容存储信息，减少构成基本存储单元的管子数，提高集成度。但必须定期对原存储信息1的单元进行电荷补充，这种过程称为刷新。另外单管动态RAM在读出时属破坏性读出，需刷新。集成度高，功耗低，价格便宜，工作速度快，但需刷新，硬件电路复杂。 常用动态RAM如：2164（64K*1B）,200ns。 只读存储器ROM 只读存储器固化后信息不能改变，掉电后信息不丢失，一般用来存放固定程序和数据。按实际应用分为三种类型： 掩膜只读存储器ROM 掩膜ROM由厂家成批实现固化，通过二次光刻板图形（掩膜）决定基本存储单元管子导通或截至，一旦固化不能改写。 可编程只读存储器PROM 可编程ROM由用户通过专门的固化器实现固化，一旦固化不能改写。 可擦写只读存储器EPROM 紫外光擦写的EPROM 电可擦写的EEPROM 存储器结构 MCS-51的存储器结构与典型微机不同 一般微机：程序和数据共用 一个存储器逻辑空间，统一编 址，称为普林斯顿结构。 存储器结构 MCS-51的存储空间分为三类： 片内、片外统一编址的64K字节程序存储器空间 64K字节的外部数据存储器地址空间 256字节的内部程序存储器空间，其中包括特殊功能寄存器 程序存储器结构 MCS-51的程序存储空间： MCS-51设置16位的程序计数器PC,可寻址64K字节程序存储器空间. 8051/8751片内4K字节的ROM/EPROM;8052片内8K字节的ROM/EPROM;8031/8032无内部程序存储器; /EA引脚为高电平,CPU首先访问内部程序存储器,访问超过4K(8K)字节的程序存储器时, CPU自动转向访问外部程序存储器,/PSEN输出有效信号. /EA引脚为低电平, CPU只访问外部程序存储器. 程序存储器结构 程序存储器的某些单元专用于某些特定的程序段： 0000H—0002H 程序的起始 0003H—0032H 中断服务程序 数据存储器结构 MCS-51的数据存储器 MCS-51的数据存储器也分为内部和外部,分别用MOV和MOVX 指令访问. 内部数据存储器的空间分配 00H—7FH低128字节为RAM区 其中00—1FH为工作寄存器组, 共分4组,每组8字节R0—R7.某 一时刻只能使用一组,由PSW中 的RS0、RS1来选择,原先的工作 寄存器将被屏蔽和保护,相当于 进栈保护 数据存储器结构 内部数据存储器的空间分配 20H—2FH为既可以按字节寻址,又可以按位寻址RAM,共16个字节128位.位寻址的地址空间为00H-7FH 数据存储器结构 特殊功能寄存器SFR 字节地址：80H--FFH 位寻址寄存器： 其字节地址可被8整除。 专用寄存器： A、B、PSW、DPTR、SP I/O接口寄存器： P0、P1、P2、P3、SBUF、TMOD、TCON、SCON … 外部存储器与访问 外部程序存储器与访问 对于8051/8751/8052/8752片内4K/8K字节的程序存储器外,还可扩展60/56K程序存储器;对于8031/8032无内部程序存储器,必须全部由外部配置,一般选用EPROM; 若低地址程序段在片内,/EA引脚为高电平,CPU从0000H访问内部程序存储器,程序执行超过4095/8191单元后, CPU自动转向访问外部程序存储器,