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课程复习 河北工业大学信息学院微电子研究所 第一部分 衬底制备与加工环境 §1.1 衬底材料（了解） 一、衬底材料的类型 1.元素半导体：Si、Ge、C（金刚石） 2.化合物半导体：GaAs、SiGe、SiC、GaN、InP 3.绝缘体：蓝宝石 二、对衬底材料的要求（了解） §1.2 单晶的制备 一、直拉法（CZ法）的流程、基本原理（掌握） 二、悬浮区熔法（float-zone，FZ法） （了解） 三、水平区熔法（布里吉曼法）---GaAs单晶 §1.3 衬底制备 一、晶体的整形（了解） 二、晶体定向（了解） 1．光图像定向法 2. X射线衍射法 三、晶面标识（熟悉） 1．主参考面（主定位面，主标志面） 2.次参考面（次定位面，次标志面） 识别晶向和导电类型 四、晶片加工（掌握） 切片、磨片、抛光 §1.4 加工环境（了解） 第二部分 掺杂技术 §1 扩散 一、 扩散原理（熟悉） 本质上：扩散是微观粒子做无规则热运动的统计结果。 方向上：高浓度向低浓度扩散。 1.菲克第一定律 J=-D·▽N 2.扩散模型（掌握） ①间隙式扩散 ② 替位（代位）式扩散 3.扩散系数（熟悉） D=D0 exp(-Ea /kT) D0—表观扩散系数，Ea—激活能； D是描述粒子扩散快慢的物理量，是微观扩散的宏观描述。 4.菲克第二定律—扩散方程（掌握） 二、扩散杂质的浓度分布 1.恒定表面源扩散/恒定表面浓度扩散（掌握） 定义（特征）: 在扩散过程中，Si片表面的杂质浓度始终不变。 例如：预淀积，箱法扩散 余误差分布 杂质总量 结深 2.有限表面源扩散/恒定杂质总量扩散(掌握) 定义（特点）：在扩散过程中，杂质源限定于扩散前淀积在晶片表面极薄层内的杂质总量Q，没有补充，也不会减少。 例如：再分布。 －－高斯分布 结深 3．两步扩散工艺(熟悉） 第一步：较低温度下，预淀积； 第二步：较高温度下，再分布； 两步法的浓度分布： ①预淀积（恒定源扩散） ――余误差分布； 目的:准确控制表面杂质总量Q。 ②再分布（有限源扩散）―高斯分布 目的：达到所需的Ns和Xj 4.实际杂质分布（了解） 5．扩散层质量参数（了解） §2-2 离子注入 特点（掌握） ①注入温度低②掺杂数目完全受控③无污染④横向扩散小⑤不受固溶度限制⑥注入深度随离子能量的增加而增加。 缺点： ①损伤(缺陷)较多:必须退火。 ②成本高 一.离子注入设备（了解） 二. 能量损失模型（掌握） 1.核阻挡模型 2.电子阻挡模型 三. 注入深度（了解） 1.总射程R ①E0Ene,即以核阻挡为主，令Se(E)=0,则R≈k1E0 ②E0Ene,即以电子阻挡为主，令Sn(E)=0,则R≈k2E01/2 2.投影射程XP 3.平均投影射程RP 4.标准偏差（投影偏差）△RP—反映了RP的分散程度（分散宽度）。 四. 浓度分布 1.高斯分布（了解） 2.横向效应（熟悉） 3.沟道效应（熟悉） 减小沟道效应的途径 ①注入方向偏离晶体的主轴方向；②提高温度；③增大剂量； ④淀积非晶表面层（SiO2)；⑤在表面制造损伤层。 五.注入损伤与退火（了解） 第三部分 薄膜技术 外延及特点（熟悉） §3.1 硅外延薄膜制备原理 外延的分类（了解) 一、外延生长动力学原理 外延生长的步骤(熟悉） ①传输（扩散）②吸附③化学反应④脱吸⑤逸出⑥加接 速度附面层（熟悉）； 质量附面层δN （了解）； 生长速率（熟悉）：①当hG? ks，是表面反应控制。②当ks? hG，是质量转移控制。 二、外延掺杂及杂质再分布 1. 掺杂原理（了解） 2.影响掺杂浓度的因素（了解） 3.杂质再分布（熟悉） ①衬底杂质的再分布； ②外延掺入杂质的再分布； ③总的杂质分布（图3－24）： N(x,t)=N1(x,t)± N2(x,t) “+”: 同一导电类型； “－”:相反导电类型； 三、自掺杂（非故意掺杂）（了解） 四、缺陷及检测 1.缺陷（了解） ①位错；②层错（堆垛层错）。 2.埋层的漂移与畸变（熟悉） §3.2 其他外延技术（不考) §3.3 SiO2薄膜(重点） 一、 SiO2的结构与性质 1. 结构 ①晶体结构（掌握） ②无定形（非晶形）结构：（掌握） 2 .性质（了解） 二、常规热氧化法制备SiO2膜的原理、特点（掌握） 干氧、水汽、湿氧三类 三、实现SiO2的扩散掩蔽作用的条件