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第6章 半导体存储器 半导体存储器是一种由半导体器件构成的能够存储数据、运算结果、操作指令的逻辑部件。用于计算机的内存及数字系统存储部件。 静态存储器是以触发器为基本单元来存储0和1的，在不失电的情况下，触发器状态不会改变； 动态存储器是用电容存储电荷的效应来存储二值信号的。电容漏电会导致信息丢失，因此要求定时对电容进行充电或放电。 称为刷新。动态存储器都为MOS型。 按工作特点不同： 分成只读存储器、随机存取存储器。 地址码的位数n与字数之间存在2n=字数的关系。如果某存储器有十个地址输入端，那它就能存210=1024个字。 2、存取周期 连续两次读（写）操作间隔的最短时间称为存取周期。 ROM按存储内容的写入方式，可分为固定ROM,可编程序只读存储器，简称（PROM)和可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory，简称EPROM)。 固定ROM：在制造时根据特定的要求做成固定的存储内容，出厂后，用户无法更改，只能读出。 6.2.1 固定只读存储器(ROM) 图6-2是一个4×4位的NMOS固定ROM。 地址译码器：有两根地址输入线A1和A0，共有4个地址号，每个地址存放一个4位二进制信息； 译码器输出线：W0、W1、W2、W3称为字线，由输入的地址代码A1A0确定选中哪条字线。被选中的数据经过输出缓冲器输出。 每根字线和位线的交叉处是一个存储单元，共有16个单元。交叉处有NMOS管的存储单元存储“1”，无NMOS管的存储单元存储“0”。例如，当地址A1A0=00时，则W0=1（W1、W2、W3均为0），此时选中0号地址使第一行的两个NMOS管导通， 位线与字线之间逻辑关系为： D0=W0+W 1 D1=W1+W3 D2=W0+W2+W3 D3=W1+W3 存储矩阵的输出和输入是或的关系，这种存储矩阵是或矩阵。地址译码器的输出和输入是与的关系，因此ROM是一个多输入变量（地址）和多输出变量（数据）的与或逻辑阵列。 地址译码器输出线为高电平有效，32根字线分别接32行的多发射极晶体管的基极，地址译码受选片信号控制，当CS=0时，选中该芯片能够工作，输入地址有效，译码输出线中某一根为高电平，选中一个地址。当CS=1时，译码输出全部为低电平，此片存储单元不工作。 读写控制电路供读出和写入之用。在写入时，VCC接+12V电源，某位写入1时，该数据线为1，写入回路中的稳压管DW击穿，T2导通， 选中单元的熔断丝通过足够大的电流而烧断；若输入数据为0，写入电路中相对应的T2管不导通，该位对应的熔断丝仍为连通状态，存储的0信息不变。读出时，VCC接+5V电源，低于稳压管的击穿电压，所有T2管都截止，如被选中的某位熔断丝是连通的，T1管导通，输出为0；如果熔断丝是断开的，T1截止，读出1信号。 6.2.3 可擦可编程只读存储器(EPROM) 可擦除可编程存储器又可以分为：光可擦除可编程存储器UVEPROM(Ultra—Violet Erasable Programmable Read－Only Memory) 电可擦除可编程存储器E2 PROM (Electrical Erasable Programmable Read－Only Memory) 快闪存储器(Flash Memory)等。 除控制栅Gc外，还有一个浮栅Gf，Gc用于控制读出和写入，Gf用于长期保存注入电荷。 Gf没有电荷时，在Gc上加入正常的高电平能够使漏-源之间产生导电沟道，SIM0S管导通。反之，在浮置栅上注入了负电荷以后，必须在控制栅上加入更高的电压才能抵消注入电荷的影响而形成导电沟道，因此在栅极加上正常的高电平信号时SIMOS管将不会导通。 当漏一源间加以较高的电压(约+20~+25V)时，将发生雪崩击穿现象。如果同时在控制栅上加以高压脉冲(幅度约+25V，宽度约50mS)，则在栅极电场的作用下，一些速度较高的电子便穿越SiO2层到达浮置栅，被浮置栅俘获而形成注入电荷。浮置栅上注入了电荷的SIM0S管，相当于写入了1，未注入电荷的相当于存入了0。 当移去外加电压后，浮栅上的电子没有放电回路，能够长期保存。当用紫外线或X射线照射时，浮栅上的电子形成光电流而泄放，恢复写入前的状态。照射一般需要15到20 分钟。为便于照射擦除，芯片的封装外壳装有透明的石英盖板。所以EPROM的写入和擦除一般需要专用的编程器。不太方便。 2、E2 PROM 采用了一种叫做Flotox（Floating gate Tunnel Oxide）的浮栅隧道氧化层的MOS管，简称Flotox管。Flotox管与SIMOS管相似,它也属于N沟道增强型的MOS管,并且有两