硅光电二极管在光电检测电路中的应用研究.pdfVIP

第 20 卷 　第 5 期 　　　　　　　　　　　　 许昌师专学报 　 　　　　　　　　　　　 Vol . 20 . No . 5 　2001 年 9 月 　　　　　　　JOURNAL OF XUCHAN G TEACHERS COLL EGE 　　　　　 　　Sep . , 2001 ( ) 文章编号 :1000 - 9949 - 2001 05 - 0019 - 04 硅光电二极管在光电检测电路中的应用研究 付文羽 ,彭世林 (庆阳师范高等专科学校 物理系 ,甘肃 西峰 745000) 　　摘 　要 :分析了光电检测时硅光电二极管线性响应及噪声特性 ,给出了硅光电二极管的线性 度及信噪比公式 ,并结合噪声 En —I n 模型[ 1] ,对光电二极管用于光电检测时影响电路信噪比的 因素进行了探讨. 关键词 :光电检测 ;信噪比;噪声模型 中图分类号 :TN710 . 2 　　　文献标识码 :A 0 　引言 硅光电二极管由于响应快 、灵敏度高 、性能稳定 、测量线性好 、噪声低而被广泛用于光电检测电路中 , 尤其在激光通讯测量中 ,通常要测量微瓦以下的光信号 ,就更离不开硅光电二极管. 质量好的硅光二极管 用于激光功率测量时 ,测量下限可达 10 - 8W ,分辨率可达 10 - 12 W. 在许多场合 ,光电检测电路接收到的是 随时间变化的光信号 ,其特点是 :单一频率或包含着丰富的频率分量的交变信号 ,当信号很微弱时 , 由于背 景噪声和电路热噪声的影响 ,还需要对信号进行低噪声处理 、放大. 因此 ,在交变光电信号作用下 ,怎样正 确选择硅光电二极管的参数 , 以获得最小非线性失真信号及信号检测的灵敏度就成为人们所关心的问题. 1 　硅光电二极管的基本结构及等效电路 光电二极管是一种光电转换器件 ,其基本原理是当光照射在 P —N 结上时 ,被吸收的光能转变为电 能 ,这是一个吸收过程 ,与发光二极管的自发辐射和激光二极管的受激幅射过程相逆. P —N 型硅光电二极 管是最基本和应用最广的管子. 基本结构如图 1 所示 ,它是在 N 型硅单晶片的上表面扩散一薄层 P 型杂 质 ,形成 P + 型扩散层. 由于扩散 ,在 P + 区和N 型区形成一个 P + N 结. P + 区是透明的 ,光子可以通过 P + 区 到达 PN 结区产生光电子. 在 N 型硅单晶下表面扩散 N 型杂质以形成高浓度的N + 扩散区 , 以便给金属电 极提供良好的电接触. 另一种常用的硅光电二极管是 P —I —N 型硅光电二极管 ,其结构同 P —N 型类似. 位于 P 层和N 层之间的耗尽层由本征半导体构成 ,可以提供一个较大的耗尽深度和较小的电容 ,适合于 反向偏压工作. 硅光电二极管的等效电路如图2 所示 , 图中 Is 为电流源, 它是硅光电二极管接收辐射后所 产生的光电流 Ip 和暗电流 I d 以及噪声电流 I n 之和, 即: 图 1 　平面扩散型 PN 结光电二极管结构图 图2 　硅光电二极管等效电路 收稿 日期 :2001 - 03 - 19 ( ) 作者简介 :付文羽 1963 - , 男, 甘肃宁县人, 庆阳师专物理系讲师, 工程硕士, 主要从事光电检测与传感技术应用研究. 　20 许昌师专学报 2001 年 9 月 　 ( ) Is = Ip + I d + I n