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磁控溅射制备纳米二氧化钒半导体薄膜及表征.pdf
第47 卷第2 期 真 空 VACUUM Vol. 47, No.2
2010 年3 月 Mar. 2010
磁控溅射制备纳米二氧化钒半导体薄膜及表征*
1 1,2 2 2
王安福 ，刘亚丽 ，叶佳宇 ，王靖林
（1. 郧阳师范高等专科学校物理系, 湖北 丹江 442700; 2. 云南大学物理科学技术学院物理系, 云南 昆明 650091）
摘 要: 本文采用射频磁控溅射法，结合氩气气氛退火工艺制备了VO2 薄膜。通过优化磁控溅射和热退
火工艺，结合激光拉曼光谱仪（Raman）、X 射线光电子能谱（XPS）、电镜扫描（SEM）对薄膜的相结构、组分
和表面形貌进行分析。结果表明：溅射衬底温度为 150℃ ，在450 ℃氩气气氛退火 2.5 h 能制备出高质量
的VO2 薄膜，表面呈米粒状，有一定的取向性。
关键词：VO2 薄膜；磁控溅射；退火；氩气气氛;表征
中图分类号：TB43;O484 文献标识码：A 文章编号：1002-0322 （2010）02-0037-03
Preparation and properties of VO2 semiconductor nanofilms by R.F.
magnetron sputtering
1 1,2 2 2
WANG An-fu ，LIU Ya-li ，YE Jia-yu ，WANG Jing-lin
(1. Department of Physics, Yunyang Teachers College, Danjiang 442700, Chian;
2. Department of Physics ，Science and Engineering, Yunnan University, Kunming 650091, China)
VO thin films were prepared by RF magnetron sputtering and annealed in argon atmosphere. The phase structure,
Abstract ： 2
components and surface morphology of vanadium oxides nanofilms were characterized by laser Raman spectroscopy, X -ray
photoelectron spectroscopy (XPS) and scanning electron microscope (SEM). The results showed that the high -quality VO2
nanofilms are available if the substrate temperature is 150 ℃ and the films are annealed at 450 ℃ in argon atmosphere fo
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