非均匀掺杂衬底MOSFETSPICE建模.pdfVIP

摘要 摘要 CMOS技术中器件建模是多年来研究的重要领域，从开始的众多模型的独立 发展到适用于电路模拟的模型标准的统一，为Ic设计工程师、半导体制造工程 师、CAD开发工程师、模型研发工程师之间的高效合作，降低Ic制造成本等起 到了非常重要的促进作用．但器件尺寸缩小的深亚微米、超深亚微米时，器件 的工作机理发生了很大的变化，因此建立合适的器件模型，对器件工作的分析 其重要性十分明显。衬底为非均匀掺杂对MOSFET器件特性影响也越来越大，导 致阙值电压减小，但阈值电压和电源电压的比值增加，致使器件中的二维效应 不断增强．而集成度的提高和器件尺寸的缩小导致了器件内部电场和电流密度 的不断增加以及对缺陷敏感度的大大增加，因此对MOSFET器件建模考虑非均匀 掺杂是尤为重要。 非均匀掺杂树底MOSFET最有效的分析方法是用数值模拟，但是至少有两 个缺点，首先是这种方法难以得到明确的解析模型，其次是计算量大，对于Ic 所用的MOSFET都用数值模拟是不可能的。本文用数值分析和解析方法相结厶， 导出了与SPICE中MOSFET模型相类似的表达式 文章首先介绍TMOSFET的小尺寸效应，尤其是衬底非均匀掺杂对阈值电压 这一重要参数的影响．阈值电压通常定义为沟道源端的半导体表面开始强反型 时所需的栅压．一般它由以下三部分组成，即平带电压，产生强反型所需的表 面势和强反型时栅下表面层电荷。分别描述了源漏零偏压和源漏非零偏压时的 电荷分享模型以及窄沟效应，接着介绍了CMOS制作的基本工艺，说明实际的 MOSFET的衬底是非均匀掺杂的，其分布是符合高斯分布的．最后我们将沟道耗 尽层的泊松方程化成积分表达式，再利用数值方法求解得到表面势的表达式， 然后求出耗尽层宽度。接着求出任意掺杂分布的沟道耗尽层宽度的近似解与长 沟道MOSFET阈值电压表达式，并推导了小尺寸MoSFET阈值电压表达式，然 后总结了全部模型公式．最后，根据参考文献给出的一个实例，我们采用完全 相同的参数将新得到的模型进行了计算，结果与文献中的测量值进行了比较， 两者基本上一致，说明了本模型的正确性。 非均匀掺杂树底MOSFET的SPIn建模 本文针对电路模拟程序中啪SFET模型的不足。提出了能用于电路模拟程 序的实际MOSFET阙值电压的解析模型。该模型对非均匀掺杂的衬底，用数值分 析和解析方法相结合，导出了与SPICE中艟OSFET模型相类似的表达式，但其 中的参数已全部用数值方法进行了处理，达到了概念清晰、计算量小、精度高的 目的。 关键词：非均匀掺杂；阈值电压；数值分析；SPIcE模型 玎 Abstract Abstract IntheCMOS thedevice isthe domam technology modelingimportant whichfor has themultitudinousmodel many independent yearsstudied．F．rom totheuniformmodelswhichsuitabletothecircuitsimulation．ForIC develop semiconductormake designer,the engineer,devdopmentengineersCAD，the modelresearchesand between effective develops engineershighly cooperation， and to formuch andreducedtheIC