采用电子束%2fI线混合光刻技术制备0.25微米射频SOI+NMOS器件地研究.pdfVIP

2003年10月 第十二届全国电子束、离子束、光子束学术会 北京 采用电子束／I线混合光刻技术 制备0．25微米射频SOII删IOS器件的研究 李俊峰赵玉印柴淑敏刘明徐秋霞钱鹤 中国科学院微电子中心，北京，100029 摘要：该项研究基于中科院微电子中心深亚微米硅工艺平台，采用了电子束和I线混合光刻加工 SOI 技术，成功的试制了0．25umNMOS射频器件，闽值电压O．4，0．45伏，沟道导通跨导Gm为 景。 关键词：射频；SOI；电子束；I线光刻；特征频率I； 中图分类号： 文献标识码： l引言 无线通信有希望成为21世纪信息产业发展最主要的推动力。以手机为例，仅集成电路就占手 机成本的35％，因此与无线通信有关的电路，尤其是其关键的射频收发电路模块，有着巨大的市 场规模和良好的发展潜力。无线通信设施的电路部分可以划分为射频前端、中频电路、基带数字 处理和功率管理等几大功能模块。对于各种模块电路的集成可以采用各自相适应的半导体技术如 易于集成、成本低廉等特点在系统单片集成上是最有前景的一项技术。cMos射频收