SiGe+CMOS探究.pdfVIP

siGeCMOS研究 郝冬艳张鹤鸣戴显英胡辉勇吕舔姜涛舒斌王喜媛 西安电子科技大学微电予所．西安，710071 摘要：本文在研究SiGeCMOS器件结构基础上，模拟分析了器件输出特性、跨导等主要电参 数与器件几何结构参数、材料物理参数的关系。根据模拟结果，分析讨论了应变SiGe层、 弛豫SiGe层中Ge组份及Si“帽”层厚度等结构参数对nMoS、pMoS特性的影响。 引言 随着微电子技术的发展和应用领域对其特性，尤其是工作频率愈来愈高的要求，Si器 件和集成电路逐渐显示出了它的缺陷和不足，在某些方面甚至接近了它的物理极限。cMOS 集成电路在航天、航空、通讯等军事领域有着极广‘泛的应用，但由于si材料载流子迁移率 低，限制了Si cMoS电路的性能，尤其是频率特性。过去二十余年ⅡI—V族化合物半导体材 料的发展，以G“s为主的异质结双极晶体管 HBT 、异质结构场效应晶体管和集成电路的 研究与应用在一定程度上弥补了Si材料器件与电路的不足，在微波毫米波领域得到了广泛 应用。但GaAs工艺技术与日益成熟的Si工艺技术不相容，因此一定程度上限制了它的发展 和应用。 质结构的认识，SiGe器件及电路的研究得到了极大重视。SiCe材料随其中Ge组分的变化， 禁带宽度可以改变，易于形成异质结结构。同时，SiGe材料的电子和空穴迁移率均比Si高， 和电路，可以克服SiC