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第六章 p-n结 §2 p-n结的电流电压特性 §3 p-n结电容 (1)??? 电容效应 (2)??? 突变结的空间电荷区 (3)??? 突变结势垒电容 (4) 扩散电容 PN结电容 ★ 电容效应 p-n结有存储和释放电荷的能力。 ①势垒电容 CT —当p-n结上外加电压变化，势垒区的空间电荷相应变化所对应的电容效应. ?当p-n结上外加的正向电压增加，势垒高度降低?空间电荷减少 ?当p-n结上外加的反向电压增加，势垒高度增加?空间电荷增加 ②扩散电容 CD —当p-n结上外加电压变化，扩散区的非平衡载流子的积累相应变化所对应的电容效应. ?当正向偏置电压增加，扩散区内的非平衡载流子积累很快增加 ?在反向偏置下，非平衡载流子数变化不大,扩散电容 可忽略 p-n结的势垒电容和扩散电容都随外加电压而变化-- CT 和CD都是微分电容: C=dQ/dV 扩散电容 CD ★ 突变结的空间电荷区 ①耗尽层近似下的空间电荷: 突变结+杂质完全电离+耗尽近似的条件下，势垒区中电离杂质组成空间电荷 势垒宽度: d= Xp +Xn 势垒区中正负电荷总量相等： |Q|=eNAXp =eNDXn ②电场: ?泊松方程： ? E=- ( dV/dx ) +C ?在x=0处, 内建电场数值达到极大 ③电势: 抛物线分布 ④空间电荷区宽度: ?平衡p-n结 ?当加外电压V ⑤单边突变结: ?势垒区主要在轻掺杂一边 ? 对p+-n结, NB代表ND ? 对p-n+结, NB代表NA ★ 突变结的势垒电容 反向偏压下的突变结势垒电容(单位面积): 几点说明: ① p-n结的势垒电容可以等效为一个平行板电容器,势垒宽度即两平行极板的距离 ② 这里求得的势垒电容, 主要适用于反向偏置情况 ③单边突变结的势垒电容: ★ 扩散电容 扩散电容CD —当p-n结上外加电压变化，扩散区的非平衡载流子的积累相应变化所对应的电容效应. 少子在扩散区中的分布: ?在空穴扩散区 ?在电子扩散区 PN结的 单位面积微分扩散电容为: ? 扩散电容在正向偏压和低频下起重要的作用. p-n结的直流伏-安特性表明： 1. 具有单向导电性。 2. 具有可变电阻性。 特别是在高频运用时，这个电容效应更为显著。 p-n结的交流特性表明: p-n结还具有可变电容的性质 图6-19(c) 势垒区 能带 空间电荷分布 矩形近似 空间电荷 电场 电势 能带 P+-n结 1、p-n结的形成和分布 §1 平衡p-n结基本特性 2、空间电荷区 3、平衡p-n结能带图 3、平衡p-n结能带图 4、p-n结接触电势差 5、p-n结接的载流子分布 5、p-n结接的载流子分布 外加电场与内建电场方向相反，削弱了内建电场，因而使势垒两端的电势差由VD减小为（VD-Vf），相应地势垒区变薄。 外加电场削弱了漂移运动， 漂移扩散 (1) 正向偏置 （ Forward bias） 这种由于电场作用而使非平衡载流子进入半导体的过程称为电注入。 这两股电流之和就是正向偏置下流过p-n结的电流。 P区空穴向n区扩散——空穴扩散电流 n区电子向P区扩散——电子扩散电流。 根据电流连续性原理，通过p-n结中任一截面的总电流是相等的，只是对于不同的截面，电子电流和空穴电流的比例有所不同而已。 考虑-xp截面： 忽略了势垒区载流子的产生和复合： 正向偏置时，半导体内的载流子浓度分布 在xp处注入的非平衡电子浓度为： 在xn处注入的非平衡空穴浓度为： 同理： -------肖克莱方程 外加电场Vr与内建电场方向一致 扩散漂移 （2）反向偏置 （Reverse bias） VD增大为（VD+Vr），相应地势垒区加宽 势垒区两侧边界上的少数载流子被强电场扫过势垒区。使边界处的少子浓度低于体内。产生了少子的扩散运动，形成了反向扩散电流。 类似于正向偏置的方法，可求得反向电流密度 式中，Js不随反向电压变化，称为反向饱和电流密度；负号表示反向电流方向与正向电流方向相反。 Jr与反向电压Vr无关，是因为当反向电压V的绝对值足够大时，边界上的少子浓度为零。 p-n结的正向和反向电流密度公式可统为： 正向：V= Vf 反向：V= -Vr p-n结的伏-安特性 （3） p-n 结的 I-V 特性 单向导电