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IGBT介绍-定义 IGBT介绍-特点 IGBT介绍-工艺 IGBT市场 IGBT市场-模块与单管 IGBT应用 IGBT竞争-全球 IGBT竞争-中国 IGBT竞争-中国 华润华晶 * Fab 5 Silicon Fab Plant 3 Fab 2 RD Center Marketing Sale Dept Administration Depts Floor 2 3 IGBT市场调研报告 张治华 2011-7 Test Plant * IGBT介绍 IGBT市场 IGBT应用 IGBT竞争 华晶IGBT战略建议 Insulated Gate Bipolar Transistor 绝缘 栅 双极 晶体管 电压控制 驱动功率：小 开关速度：中 输入阻抗：大 开关损耗：小 工作频率：较高 耐压 ：高 电流 ：大 IGBT融合了MOS和BJT的特点 电压300-6500V 频率几十K Hz 功率不超过1000K VA 电流控制 驱动功率：大 开关速度：慢 饱和压降：低 耐压 ：大 电流 ：大 电压控制 驱动功率：小 开关速度：快 通态电阻：大 高压大电流 难以满足 2009：全球IGBT销售13亿美元 中国销售38亿人民币， 约占全球市场1/3 2010：中国销售41亿人民币