模电课件华科版 CH3.ppt

半导体二极管、三极管及其场效应管 3.1 半导体的基本知识 二、本征半导体、空穴及其导电作用 三、杂质半导体 1. N型半导体 2. P型半导体 3. 掺杂对半导体导电性影响的数据 3.2 PN结的形成及特性 3.2.3 PN结的单向导电性 (2) PN 结加反向电压(反偏) 3.3 半导体二极管 3.3.2 二极管的V-I 特性 (2)反向特性 介绍几个概念 (2) 如何判断D导通或截止 (3)关于优先导通 二极管应用举例 3.5 特殊二极管 练习1 练习2 练习3 作业 3.4.5、3.4.6(b)、(c) 3.4.2 4.1 半导体三极管(BJT、晶体管) 2.分类 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 (3)c区收集扩散过来的电子 4.BJT的放大作用 2.输出特性曲线 作业 模电五版：P185 4.1.1、4.1.2、4.2.3 共射极接法 共射极接法电压放大作用 第5章 场效应管(FET) 5.3 结型场效应管 (以N型沟道为例) 3. JFET的特性曲线 (2). 转移特性曲线 综上分析(JFET) 5.1 绝缘栅场效应三极管 （2）工作原理 ②．漏源电压vDS对漏极电流 id的影响： 2、N沟道耗尽型MOSFET vGS对漏极电流的控制作用（转移特性曲线） (2) 反向击穿电压 ? V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反 向击穿电压。 ? V(BR) EBO——集电极开路时发射结的反 向击穿电压。 ? V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO 3. 极限参数 4.1.4 BJT的主要参数 (3) 集电极最大允许功率损耗PCM 3. 极限参数 4.1.4 BJT的主要参数 ICVCE PCM 若 管子就会被烧毁 4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 (1) 温度对ICBO的影响 温度每升高10℃，ICBO约增加一倍。 (2) 温度对? 的影响 温度每升高1℃， ? 值约增大0.5%~1%。 (3) 温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响 温度升高时，V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。 2. 温度对BJT特性曲线的影响 1. 温度对BJT参数的影响 end 共射极接法中,既有电压放大，又有电流放大 电流放大 + - b c e RL 1k? 共射极放大电路 VBB VCC VBE IB IE IC + - ?vI ?vO + - +?iC +?iE +?iB 若 ?vI = 20mV ， 使 ?iE = 1mA。 电压放大倍数 使 ?iC = 0.98mA 。 (设? = 0.98) ?vO = -?iC? RL = -0.98 V， 倒相作用 + - b c e RL 1k? 共射极放大电路 VBB VCC VBE IB IE IC + - ?vI ?vO + - +?iC +?iE +?iB （a）符号 （b）正向V-I特性 参见：模拟部分 5.3节、5.1节 应用电场效应工作的电子器件。 单极型晶体管。 电压控制电流器件。 功耗小，输入阻抗高、抗干扰能力强。 广泛应用于大规模集成电路中。 FET是 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结 型 MOSFET 金属-氧化物-半导体型 (绝缘栅型) 分类： 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 源极用S或s表示 N型导电沟道 漏极用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极用G或g表示 符号 符号 1.结构 符号中箭头方向——g结正向偏置时，g极电流方向。 2.工作原理（ 正常工作vGS 0, vDS0) ① 设 vDS =0V (a) 若vGS =0V →PN结耗尽层只占N型本体很小部分→导电沟道很宽 (b) 若|vGS| ↑ →PN结耗尽层加宽→导电沟道变窄 (c) 若|vGS| ↑↑ 到vGS = Vp (Vp—夹断电压) →PN结耗尽层合拢→导电沟道夹断 结论: vGS负压可以控制导电沟道宽度 1) vGS对iD的控制作用 ② vDS加一定正压 电子从s?d在电场作用下运动 ? iD(漏极电流) vGS =0V? RDS 最小? iD =IDSS(栅源短路饱和漏极电流) 沟道电阻 而 沟道长度 沟道横截面积 |vGS |↑→ RDS↑? iD ↓ vGS = Vp