纳米尺度上铁电薄膜的漏电行为和铁电性研究.pdfVIP

纳米尺度上铁电薄膜的漏电行为与铁电性研究’ 谢中1，赵立华1，王祝盈2陈小华1，黄桂芳1， 罗恩洲3，许建斌3，I．H．Wilson3，赵柏儒4 (1．湖南大学材料科学与工程学院；2．湖南大学应用物理系．湖南长沙410082 3．香港中文太学电子工程系．材料辩学与技术研究中心．香港； 4．中国科学院物理研究所国家超导重点实验室，北京100080) 摘 要；运用一台蛀政进的原子力卫微钝时 某种导电悬臂被用作上电扳和位移传感器。悬臂在z PZF／YBCO异质蛄的微区涓电漉和靛电性的关系进 方向上的遭动归结为压电或睁电力相互作用的结 行了碍宄．样品形扼和强电流的不均匀性与样品形 果·然而·截至目前为止，只有单独的铁电或漏电 耽厦反映样品杖电性的压电响应被同时戚像．井在 捌量报道·少有同时的测量a本文中，我们展示用 蚋米足度上进行丁研究．蛄果表明，漏电蓐轻首先 改进的原子力显微镜进行的纳米尺度上同一区域内 出现在晶界的薄弱处，随电场的增加而发晨到整个 的漏电流与铁电性的研究。懵助于这种技术，我们 晶粒．微观蔫电流可由空间电荷限制电流模型加以 能够直接找到漏电流与铁电性之间的关联． 描述． 关麓词t缺电，超导异质结}铁电性；原子力显傲镜： 2实验 漏电流 所用的样品是由紫外激光脉冲剥离沉积的。PZT 1引言 薄膜的名义厚度为150口哪。生长在舳厚的、／BCO 底电极上．YBCO底屯极悬生长在(001)的钛酸锶 PzlFqzb，n捣】薄膜是一种重要的铁电薄单晶上的·PZT是在沉积完YBCO后原位沉积在 膜a由于其在非挥发性存贮器中的可能应用而受到 YBCO上的·用x射线对薄膜的培掏进行了分析． 广泛关注·YBCO是一种众所周知的高温超导陶瓷．表明YBCO与PZT均为外延C取向生长的． 在PZT／YBCO异质结中·YBCO有两个主要应用-改进的AFM图示于图1中，这里导电针作为可 一是用作铁电超导场效应臂的导电沟道，另一个应 移动的上电极，YBCO作为PZT的下电极．在谈仪 用是作为铁电电容的底电极·在薄膜器件中．漏电 流是一个决定器件完整性和可靠性的重要指标．漏 电流的大小，直接关系到铁电元件的性能．疆电流 与铁电性的关系，不仅与铁电薄膜的质量有关．也 与薄膜与电极的界面层有关． PZT与YBCO是典型的多元体系．不可避免地 存在大量微观上的不均匀性如组分、微结构、界面 及厚度等的不均匀性．由于PZI,tYBCO系坑的复杂 性．宏观测量平均了所有这些不均匀因素的影响． 因此．非常期望能在纳米尺度上对其铁电性与漏电 流特征进行深入研究． 新近扫描探针显微镜的进展．已在纳米尺度上 AFM l modifiedtoeithd Schematicofthe Fig dieipem 漏电流与铁电性的特征化能力上有了较大提高。如 modeor theconduct the pie∞nspoII∞mode 导电原子力显微镜(C-AFM)-已被用于描述PZT