GaInP-%2c2-%2fGaAs%2fGe叠层太阳电池中高效率Ge底电池探究.pdfVIP

2004卑8月，噶 第十￡囊查誓％音-牛掌体材料、饿文-件-光电斛学术戗 量第，L捆童■■讳—，l∞米t“ 王亮兴涂洁磊张忠卫池卫英彭冬生陈超奇陈鸣波 (上海空间电源研究所200233上海) 摘要：本文从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了对(k底电池的开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的 影响情况，结果表明：控制发射层的表面复合，并减薄其厚度可以提高开路电压Voc，并可以有效提高短路电流Isc； 调整相应的器件工艺有利于填充因子FF的提高。采用上述改进措施，成功得到Voc达到287 5mV，Isc达到 73．13mA／cm2，效率达到7．35％的Ge太阳电池。 关键词：锱X阳电池高效率t 15。6800 PACC：0270。8630，81 中图分类号：TK514 文献标示码：A 文章编号： Ge for The bottom highefficiency cell GalnP2／GaAs／Ge tandemsolarcell three-junction Wang LiangxillgTuJielei，ZhangZhongwei，ChiWeiying， Chaoqi，Chela Dongsheng，ChenMingbo， Peng Abstract：We solarcell analysetheimpactsofswttcUll℃anddeviceprocessofGe ontheopen·voltage，lightcurrentdensity and6llfactor ofemitterthickness controllingthe By surface-recombinationvelocity．reduction process．wedemonstrateGe efficiencyof7．35％． words：Gesolarcell Key high effiCiency PACC：0270，8630．8115，6800 1引言 性和缺陷，对整个叠层电池的影响甚至更大。由于我们已经初步解决了GaAs—Ge界面的扩散和缺陷 进。 本文从太阳电池的基本原理出发，分析了影响Ge底电池电性能的因素，调整电池的结构参数 与器件工艺，从而获得高性能的Ge太阳电池。 2实验 200-4)·在P型Ge mbar)金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术(Aixtron 采用低压(200 1m的高掺 单晶衬底上分别生长n型GalnP2和n型(A1)GaAs，浓度约为10”cm～，然后再生长O．5 后工艺包括：光刻、制作背面和正面电极、选择性腐蚀、蒸镀减反射膜(Ti02／Si02)和热退火等。 以Spectrolab 产的GaInP2JGaAs叠层电池样品，以标定AM0光源的光强(135．3mW／cm‘)。