非加固CMOS器件54HC04-%2790-Sr--%2790-Y源辐射效应的研究.pdfVIP

非加固CMOS器件54HC0490Sr_90Y源 辐射效应研究 吴国荣张正选周辉罗尹虹 (西北按技术研究所六室 西安69信箱710024) 测量系统进行的电离辐射效应研究结果·在国内酋次给出了器件在连续辐照状态下 的效应数据．研究结果表明：非加固的54HC04的抗辐射水平在i．3×102Gy． 关键词 电离辐射辐射效应CIIOS器件阚值电压 1引言 耗低、使用寿命长、输入阻抗高、抗干扰能力强、工作稳定可靠等特点，因而在星 上电子线路中得以广泛应用． CMOS器件的工作原理是利用SiO：界面场效应，其电离辐射损伤机理仍是电 离辐射在SiO，介质中产生的界面空穴俘获，在界面附近形成的正电荷层改变了 SiO：／Si界面势位，引起界面正电荷效应，导致△vF。的负向漂移，因此必须在栅上 加一负电压才能抵消界面处正电荷层的影响，这就使N沟晶体管的阈值电压向负 方向漂移。辐射时加正偏压将产生最大的阈电压漂移。辐照引起的另一现象是界面 态俘获．界面态俘获除了引起阈电压漂移外，还可导致载流子迁移率的减小，从而 以芷偏压，辐照引起的漂移可使零电压下关断的器件开启。在PMOS管中。所加 较小。 2参数蠢量和提取 墨堕薹堑垩垄型鳖!登塑堡!翌竺壁竺!!翌!竺!盥塑塑壁墼生竺塞 测量的静态参数主要有闽值电压、辐照感生漏电流、转换电压、输出高低电平、 电流传输特性、电压传输特性。动态参数是器件传输延迟时间。 2．1阈值电压的提取 阈值电压是CMOS的重要参数之一。根据美国军方标准方法．当漏电流达到 lO¨．A时所对应的输入电压为阈值电压。从器件的电流传输特性曲线得到阈电压值。 当辐照总剂量达到一定的程度，无法从电流传输特性曲线获得N管的闽值电 压漂移量AV。。时。可提取AVIp，并利用下式近似计算出△v。。 AVh=2AV。-△vt- (2．1．1) 通过所求得的转换电压漂移量△V。和PMOS管的阈电压漂移量△v。求出NMOS管 的阈电压。 2．2漏电流的提取 导通状态，PMOS处于截止状态，此时流过源、漏的电流为PMOS管的漏电流。 从电流特性曲线获得两管的漏电流。 2．3转换电压V。，的提取 CMOS倒相器的输出高低电平转换电压V。是衡量倒相器性能的重要参数之 一，它是指倒相器输出电压从高到低转换点所对应的输入电压。V。是由电路输入 端反相器阈值电压决定的，理论计算公式如下： 盼等掣 叫， 其中V。为N沟阈值电压；V十为P沟闺值电压；眠是由版图设计和制造工艺决 定的常数。 2．4动态传输延迟时间的测量 9l 墨璺茭壅至垄旦堡：斐垫要曼坚旦!壁壁竺坚璺竺!坚塑塑塾塾壅里墨———一 根据MOS管半导体参数测量方法获取CMOS倒相器的动态传输特性·其传翰 延迟时间的定义如下所示： 《 图I动志参数T”T雌的提取方法 餐 3实验过程 3．1实验辐照器件及实验条件 从经济的角度出发，电子线路的设计者倾向于在普通的辐射环境中应用商业、 非加固器件，在卫星系统中也有用此类器件作为冷备份的研究．因此在实验中选用 非加同的商用CD54HC04F器件，54HC04为六与非门· 辐照时器件的偏置条件：Vcs=4．5V，Vw=0．OV· 辐照剂量率：1．8x101Gy(Si)Is． 辐照总剂量：0～1。Oxl03Gy(Si)，共辐照1543小时· 辐照时，器件去盖．辐照后的测量为在线测量。30分钟内完成．测量分两种 状态．测单门的各项参数。其它五门输入接低电平。测六门的各项参数·将六门的 输入、输出并联． 3．2实验辐照剂量的测量