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化合物半导体和空间用太阳电池及材料 ．297．
一步共蒸发法低温制备+CIGS薄膜的研究术
王春婧何青～张力 施成营赵久成孙云
南开大学信息技术科学学院光电子薄膜器件与技术研究所j天津300071
．、．
l
【摘要l
膜在不产生CuSe时，载流子浓度小于10161cm3。将该工艺应用于聚酰亚胺衬底，
’。
制备的n·ZnO／i·zn0，cdS，CIGS，Mo结构的太阳电池转换效率达到5．88％。
【关键词】 CIGS低温转换效率
0引言一
，
聚酰亚胺，(PI)衬底的柔性太阳电池由于重量轻，可卷曲折叠、不怕摔碰等特点，成为
结晶相，，从而增大了电池的串联电阻。高阻二元相的存在是因为三步法工艺第二步沉积的Cu
电池转换效率达到5．88％。
1实验
Pa量级，薄膜生长
利用PVD设备沉积CIGS吸收层，薄膜生长时的本底真空度在lO一3
缓冲层；磁控溅射ZnO靶和ZnO：AI靶，沉积i-ZnO高阻层与n—ZnO低阻层。
采用X’PcrProX射线衍射仪分析薄膜的晶相结构及相组成；Magix
荧光光谱仪分析薄膜的组分；Accent
000
的I-V曲线在AMl．5(辐照度lw，m2，250c)下测定。
宰基金项目：国家高技术发展计划2004AA513021。
．298· 中国太阳能光伏进展
2 结果与讨论
2．1 SEM表面形貌分析
· · ‘· ··
’ 。
▲ · ●’ 7
条件下生长的CIGS薄膜晶粒直径一般小于0．5gm，这与低温三步法生长的CIGS薄膜情况
类似。晶粒细小且有空洞，这可能是因为低温生长状况下不会产生液相CuSe，没有发生液相
辅助再结晶过程造成的。‘4】断面图显示CIGS晶粒呈明显的柱状生长。?
图1 一步法沉积CIGS薄膜的SEM图(左为表面图，右为断面图)
2．2 XRD晶向结构分析
，
，
属于富铜薄膜，故XRD图上存在CuSe的衍射峰。但与低温三步法工艺最大的区别就是，从
(因为是富铜结构，不可能存在(Ino．68Gao．32)2Se3相)
图2一步法富铜CIGS薄膜的XRD图
le．合物半导体和空间用太阳电池及材料．299．
2．3
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