溶胶-水热法制备纳米氧化镁薄膜地研究.pdfVIP

溶胶-水热法制备纳米氧化镁薄膜地研究.pdf

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电子显微学报JChinEleetr.MicroseSee 2004年 451 23(4):451—45i 溶胶.水热法制备纳米氧化镁薄膜的研究 中玉双1,伊赞荃1,王红2 (1河北化I医药职业技术学院。2河北省产品质量监督检验院,河北石家庄050031) 结晶良好的氧化镁薄膜具有很好的化学稳定 理想的氧化镁薄膜材料,薄膜的表面致密均匀,附着 性、热传导性和绝缘性,而且氧化镁的表面张力、晶 力强(图1a),进一步放大的电镜照片显示这种氧化 格常数等性质与常见半导体、电极材料很接近,因此 镁薄膜实际是由纳米氧化镁聚集、烧结而成的陶瓷 可用来制备高临界温度的超导体以及铁电薄膜的稳 膜(图1b),这样的膜可以使基质材料与沉积的功能 定阻挡层“-。同时,氧化镁也是良好的微滤材料以 材料之间形成良好的过渡层。薄膜层中纳米微粒的 及功能陶瓷的衬底,广泛应用于集成电路、电子、功 粒径在20rim左右,而微粒之间的间隙小于2nm,有 能陶瓷、敏感元件”1等领域。我们采用溶胶.水热法 望成为性能优良的微过滤材料。 在不锈钢和陶瓷基片上制备出质地均匀、具有适宜 该工艺制备氧化镁薄膜要求控制严格的条件, 厚度的氧化镁薄膜。 如果溶胶的浓度过大,则形成较厚的膜,膜的质地不 1材料与方法 均匀,表面起伏不定,而且容易在表面或内部产生缺 以醋酸镁为镁源,将其溶解于乙醇中,加人少量 陷(沙眼或气孔),在干燥或煅烧时容易产生龟裂现 PL.1助剂和聚乙烯醇胶粘剂,制成均相镁溶胶。在 象(图lc)。如果溶胶的浓度过小,则不能形成均匀 溶胶中加入一定量脲,转移副内村聚四氟乙烯的静 覆盖的薄膜,需要多次进行被膜处理;由于原先形成 压自紧式高压釜中,在高压釜中放人用特殊支架固 的氧化镁膜容易再水化松动,形成的多层膜越不均 定的直径约为1cm的不锈钢圆片和石英(si02)圆片匀,表面越不光滑(图ld)。 数枚,圆片具有一定间隔,圆片与釜底垂直放置。然 参考文献: 后将高压釜放置在烘箱中进行水热处理,温度为 [1]符晓荣,武光明.宋志棠,等.新型溶胶一凝胶法制备 纳米M如薄膜的研究[J].无机材料学报,1999,(6): 323K一393K,填充度为70%,处理时间为2—8h。沉 828.832. 积了氧化镁(其实大部分为氢氧化镁)的圆片经低温 真空干燥(低于343K)、在673K排胶lh,1173K烧结 Nb2o,压敏材料性能的影响[J]功能材料,20(30,31 2h,得到氧化镁薄膜。用SEM观察薄膜的形态。 (6):671.672 2结果与讨论 SEM照片显示,采用溶胶.水热法,可得到较为 图1溶胶浓度不同时制备的氧化镁薄膜的SEM照片(Bar;500hm)。 a:0.7mol/L;b:a的放大照片;c:1.5mol/L;d:0.3mol/L

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