小规模CMOS集成电路可靠性快速评价新方法地研究.pdfVIP

第十瞄■●-他鲁糖阜●俸、般毫-伟和光电I件拳术●戗 广青北鸯2008筝址月 1 。．‘ t：． j 小规模cMos集成电路可靠性快速评价新方法的研究 ‘-‘ “： ，． 刘鹏飞郭春生李秀宇李志国 (北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性研究室，北京100022 摘要t CMOS集成电路由于自身的优秀的性能，已经广泛的应用在各个领域。伴随着电子产品功能的不断增强，集成电路复杂程度 的逐步提高。其质量和可靠性也成为人们普遍关注的焦点．本文对‘C斯0s集成电路可靠性评价技术进行了探索，改进了一种评价方 法，通过直接建立器件失效敏感参数退化率与应力水平之闯的关系，就可以由单支样品的数据，提取器件某一参数退化所对应的激 活能，并外推其正常使用条件下的寿命． ．‘‘ 关键词：a帕S集成电路：可靠性快速评价；激活能： 1．引言 如今，集成电路的迅猛发展，随着器件设计方法、工艺技术及生产设备的不断改进，各种器 件的可靠性不断提高，寿命越来越长。目前CMOS集成电路的失效率已由，80年代的lO-5／hr 减小到目前的10刁／llr，然而对于航空航天产品和重点工程使用的关键半导体器件，更是要求其 失效率达到10。1叻一1捌。为了占有市场的主导地位，器件的研制：生产周期日益缩短，产品更 新换代的速度越来越快。这都对我们提出了如何快速准确的预测器件寿命，判断出失效机理 的要求。． ．． 与半导体分立器件相比，半导体集成电路的失效机理更加复杂：(除了分立器件失效外还 有阻容元件，电感和互连线及各种寄生效应等引起的失效)，影响因素也多，除了电热应力外， 还有辐射、静电、振动、盐雾、高低温冲击等因素的影响。因此传统的加速寿命试验存在试 验周期长，费用高，实施技术难度大的缺点【3】。本文探索温度斜坡法在集成电路寿命评价中的 应用，寻找特定集成电路的敏感参数，并从选定的敏感参数退化趋势，推算出相应的激活能 温度斜坡法计算出样品的失效激活能，预测其正常使用条件下的寿命。 2．理论， 微屯子器件参数的退化是由器件内部物理和化学变化引起的，当这种变化积累到一定程 度时即发生失效，退化经历的时间即产品的寿命14】? 在加速寿命试验中，微电子器件的退化与温度的关系可以用阿仑尼斯(Arrhenius)模型 来描述；与电应力(电压、电流等)的关系，可以用逆幂率模型描述i多应力时可以用广义 阿伦尼斯模型描述。根据上述几种模型，在同时考虑温度、电压及电流三种应力情况下，我 dh，l ·(1) 们建立了如下形式的模型；‘=等=母”矿”exp(Q／灯) ：式中；‘彳、rB、行为常数，aM／dr为器件特征参数随时间的变化率，J为电流密度，?矿为电 ．。． 。： 毒件特征参数初始值M。，可得：‘甏=彳’_，”矿”eXp(一Q／xT)dt(2) 试验方案中，温度应力采用序进应力法，即对器件施加按一定速率∥上升的温度应力， 则t时刻结温为： 一? 弘死+夕手+△T (3) 式中，死为初始试验温度，△丁是器件施加电应力后，由焦耳热产生的自升温。由(3)