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声表面波器件用压电晶体的生长研究 徐家跃‘，范世g§1，周娟1，夏宗仁2 (1．中国科学院上海硅酸盐研究所，上海200050：2．中电科技德清华莹电子有限 公司，浙江德清313216) 一、引言 声表面波(SAW)器件主要是利用Rayleigh波在固体材料表面传播而设计的 一类电子元器件，诸如滤波器、谐振器、振荡器等。通过压电效应，可在压电材料 表面实现电磁波与声波之间的能量转换．从而实现信号的传递。随着移动通讯产业 的迅速发展，SAW器件不仅有向高频、低损耗、小型化方向发展的趋势，而且要 求不断降低成本。这就意味着对SAW器件用压电单晶基片的要求越来越高。目前 SAW器件用压电单晶材料主要有水晶、铌酸锂、钽酸锂、四硼酸锂等。本文报道 了我们在声表面波器件用压电晶体方面的最新研究成果。 二、大尺寸四硼酸锂晶体 四硼酸锂(Li2840，：LBO)晶体具有机电耦合系数高、温度稳定性好、原料成本 低等优点，是一种综合性能优良的新型温度补偿型SAW基片材料，特别适合于高 频或超高频、小型化SAW器件的设计和制作。我们针对LBO晶体热导差、熔体 粘度大、极易开裂等特点，在国际上首创LBO晶体坩埚F降法生长技术，生长出 直径82mm(三英寸)、无宏观缺陷的LBO晶体。经过多年的攻关，成功地实现了 三英寸LBO晶体的工业化生产，使中国成为世界上唯一能批量提供三英寸LBO晶 体的国家，引起了国际产业界的关注。目前，三英寸LBO晶体产品已被日本、韩 国等国多家大公司采用，开发出性能优越的SAW器件并投放市场。面对通讯领域 激烈的市场竞争，在不断提高晶体质量的同时，器件厂商还希望通过采用更大尺寸 的晶体圆片来降低器件成本。为此，我们通过一系列工艺改进，成功生长出直径 J。 105mm(四英寸)、长度80．120mm的LBO晶体II 三、硅酸镓镧系列新型压电晶体 硅酸镓镧(La3GasSiOl4．LGS)单晶具有高温度稳定性、较大机电耦合因数和 较小声速等优点，是一种性能优异的新型声表面波基片材料。目前提拉法已生长出 3．4英寸LGS晶体，但是由于Ga203原料昂贵，晶体价格居高不下成为该晶体工业 化应用的严重障碍。通过置换LGS结构中的部分甚至全部离子，不仅能降低原料 成本，而且可探索高性能的新型压电材料。目前，离子置换获得的LGS系列压电 先开展LGS和SGG晶体的坩埚下降法生长研究，已经获得了一定尺寸的单晶Iz4J。 图l是提拉法生长的LGS晶体，图2是坩埚下降法生长的SGG晶体。提拉法生长 的晶体具有一定的结晶学形貌，这在园片加工时必须滚园，而下降法生长的晶体可 根据需要制成圆形或其他形状，减少了原料的浪费，节约了成本。 ．120- 翻1提拉法生长的LGS晶体 图2坩垌下降法生长的SGG晶体 四、低静电铌酸锂、钽酸锂晶体 铌酸锂(LiNb03：LN)和钽酸锂(LiTa03；LT)晶体具有优异的压电、热释电、 电光等性能，是十分重要的压电基片材料，广泛用于制造声表面波(SAW)和体 波(BAW)器件。但是高透过率和高热释电性对SAW器件制作工艺十分不利：高 热释电性使晶片表面很容易聚集大量静电荷，这些电荷放电时会烧毁叉指电极(制 作高频器件时尤甚)，大大增加了器件的次品率；高的光透过率会导致晶片背面形 成漫散射，器件容易出现不连续的线宽。针对这些问题，近年来国际上兴起对LN、 L1’晶片进行化学还原的工艺。我们在国内率先开展LN和【T黑片研究，采用化学 进行退火热处理，成功制各了3英寸LN和u’低静电黑片，不仅减少了器件制作 工序，而且使成品率提高了5—8百分点…。 五、结束语 针对SAW器件向高频、低损耗、小型化、低成本方向的发展趋势，我们生长 了大尺寸LBO晶体、LGS和SGG新型压电晶体，制备了3英寸低静电LN和LT 黑片。其中LBO晶体已实现了工业生产，LN和LT黑片技术基本成熟。SGG晶体 还有待进一步长大。 参考文献： [1]徐家跃等．四英寸四硼酸锂压电晶体的生长研究，无机材料学报，17(2002)857—861． of E2]Juan