CaF-%2c2-%3aMn%2fTeflon热释光剂量元件地研究.pdfVIP

第9届垒国校电子学与棱探测技术学术年会论文集 oft|le Proc 9t|I眦．啪l∞憎嘲o-lNud叫日批＆NudB甜Delect两TedI—ogy e鲥ings 陈朝阳 巴维真 吾勤之何承发 安佥霞 (中国科学院新疆物理研究所，乌鲁木齐，830011) 捌备出cIFt·Mn(薯激活cIF-)热释光材料及clFt·Mn门卸帆剂量元件，研究丁发光曲线、剂量响应 曲线、响应的时间衰退特性、剂量辜响应、重复使用特性等荆量学特性。井与几种不同的c．F·材料的热髯光特 性作比较．结果表明．c丑FI·Mn／Te丑on是_二种理想的热释光剂量元件．可用于抗辐射加固研究中电子器件 辐射吸收剂量的测量． 关键谓tcaFt·MB热释光剂量 1前言 t CaFtMn(锰激活的caF，)热释光材料具有与硅十分接近的辐射吸收特性“]，是测量硅 电子器件吸收剂量较为理想的辐射敏感材料，在电子器件辐射效应和加同研究中得到了广泛 的应用04】．CaR-Mn的制备最早的典型方法是美国海军实验室GiIltIl目的氟锰饺 (NH．MnF。)法[．】．该方法的最大缺点是在样品的重复制备时不容易获得同样的气氛条件，烧 结时间太长．结果难以重复．我们采用共沉淀物高温烧结激活的方法制备出CaF：·Mn热释光 材料并与1枷on(涤氟蛰塑料)混合倒成剂量计，研究了其热释光剂量学特性． 2实验及结果 2．1 nF：·MⅡ／Te门帆热释光材料的制备 2．1．1caF，和№clFt共沉淀物的制备 按离子数比Ca”：Mn”=97：3称取caC0，和MnC0t共120 g，量入1000nll的塑料烧 杯，加入约300Ⅱll的去离子水将混台物搅成糊状．缓慢加入HF溶液，边加入边搅拌，直到不再 有气体放出时为止，使HF稍微过量，反应后pH=1．反应过程可用下述方程式表示。 cac03+2HF皇cF2卜卜coz+H10 Mnc03+2HF=MnR++∞l+Ht0 将生成物用去离子水稀释直至1000ml，静置24h，以使反应充分进行．用去离子水反复清 洗直到pH=7时为止，最后在80℃烘干，就得到了CaF。和M-lR的共沉淀物． 2．1．2激活过程 将caFz和MnF2的共沉淀物放入石英坩埚或AkO，坩埚，置于石英管烧结炉内，抽真空 至lo“Pa，缓慢加热到400℃，恒温并保真空lh，以使共沉淀物壳分干燥．关闭真空系统，开始 通Ar气，保持一定Ar气流量的同时，将炉温升至1200℃，恒温lh，在Ar气氛中冷却至室温， 将烧结物经粉碎、研磨和清洁处理(甩浓HCl溶液清洗以除去可溶性杂质)，得到白色粉末．既 为CaFz·Mn(锰激活的caFt)热释光磷光材料．作为对照实验，又选用了另一种烧结过程：不 397 抽真空，直接通m气，同时缓慢升温至400℃，恒温lh．继续升温至1200℃．恒温1h，在Ar气 氛中冷却至室温，将烧结物粉碎、研磨和清培处理后得到灰黑色粉末(记为1号样品)． 2．1．3x射线衍射实验 t caFtMn材料和1号样品及caF，的x射 t 线衍射谱图为图1．可以看出，CaRMn材料和 1号样品的晶格结构基本一致，都为caFl晶格结 构，只是有少量的Mn离子掺杂刭CaF，的晶格 中。且CaF，·Mn材料和1号样品衍射峰较CaF， 尖锐，说明CaFl在高温烧结后．晶粒发生了长大． 2．2 t c．FlMⅡ／Ten弧热释光剂量元件的剂量 学特性 因为caF。·Mn是粉末材料，使用上不方便． 田1 X射线衍射谱田 因此，将5％cIB·Mn粉末材料与95％Tenoll(涤氟纶塑料，自身无热释光)粉末均匀混合成 型经300℃烧结，切片成4Ⅱm厚，≯=6Ⅱm规格。树成得蓟纯白色，半透明的caR，Mn／ Tenon剂量元件． 2．2．1发光曲线 热释光材料中的激活荆含量很小，但能提供电子陷阱或空穴俘获中心等晶格缺陷，当磷光 物质晶体价带中的一个电子被高能辐射激