金属铝合金侵蚀的研究.pdfVIP

金属铝合金侵蚀研究 陈志勇彭力莫科伟 (无锡微电子科研中心第二研究室214035) 摘要本文研究了在半导体生产中出现的金属铝合佥侵蚀现象，分析了金属侵蚀的机理， 最后给出了金属侵蚀的防护方法． 关键字侵蚀金属腐蚀半导体工艺 1引言 金属刻蚀工艺是集成电路生产中的关键工艺之一，是影响器件成品率和可靠性的关键工 序。随着等离子腐蚀干刻技术的广泛应用，刻铝之后，当硅片暴露在大气之下时，极易产生 侵蚀现象，侵蚀会使金属布线发生短路或断路，导致器件失效和成品率下降。因此，防止金 属侵蚀是IC制造中的一个重要的课题。 2常用的几种金属布线材料 (1)纯铝． 纯铝的特点是电阻率较小，是除Cu、Au以外的优良导体，并且价格便宜、易于加工。而 Cu、Au虽然电阻率较Al更小，却难于加工。 纯铝的缺点是：容易发生Al、Sj互溶(即铝钉效应、Spiking效应)、电迁移和形成小丘 (hillock)。 (2)A1．Si 典型的是加入1％的Si(也有加O．7％和0．8％的Si)，超过Si在Al中的溶解