碳纳米管场发射显示屏发光规律的研究.pdfVIP

碳纳米管场发射显示屏发光规律研究· 田昌会，朱长纯，刘卫华‘ (西安交通大学电子与信息工程学院，710049，西安) 摘要：通过低压化学气相沉积法在硅片上制作碳纳米管薄膜阴极，用真空荧光显示器的 封装工艺，制备了碳纳米管场发射显示器试验性样管．比较测试可知，直接测量显示屏的器 件电压和测试电源驱动电压所得结果是不同的，用后者代替前者不够合理。通过光亮度与电 压、电流、功率的关系曲线比较分析可知，用光亮度与电流成线性关系的结论表征碳纳米管 场发射显示屏的性能比用电压更合理，更利于器件的分析和设计． 关键词：碳纳米管， 场发射，光亮度，伏安特性曲线 中图分类号：TN304．18；TNl04．3文献标识码：A 自从1991年IIjima【1】发现碳纳米管之后，由于其独特的电学性质，化学稳定性，导热 性，高的机械强度而成为最引人瞩目的材料之一．在场发射平面显示领域中的应用亦展现出 其巨大的应用前景【2翔。最早关于碳纳米管场发射研究的报道是于1995年发表的【3～5】， 随后的大量研究表明。碳纳米管具有很低的场发射阑值电场强度(1～3v，岬)和很高的场发射 o-，P 电流密度(1A／cm