高阻硅衬底上多孔硅牺牲层工艺地研究.pdfVIP

高阻硅衬底上多孔硅牺牲层工艺的研究 董 良 岳瑞峰 刘理天 清华大学微电子学研究所 北京 ! ###$% 摘要 采用离子注入的方法在高电阻率的硅衬底上选择性地形成低阻区 制备了多孔硅牺牲层 研究用 先做微结构后形成多孔 ’ ’ ( 硅 的多孔硅牺牲层工艺制作微悬空结构 ) * 关键词 微机械 多孔硅 牺牲层 +,-./01234156070-3+484901:3+:974;494:8:/=74145?@=343,4A4,/+484901 BCDE FGHDE IJKLJGMKDE FGJFGNGHD