不同辐照条件下反熔丝FPGA的总剂量辐照效应研究.pdfVIP

第十二届反应堆数值计算与粒子输运学术会议 不同辐照条件下反熔丝FPGA的总剂量辐照效应研究 袁国火，徐曦 (中国工程物理研究院电子工程研究所，四川绵阳，621900) 摘要：现场可编程集成电路FPGA得到了日益广泛的应用，这类器件是由典型外延CMOS工艺制造的，对 T电离总剂量辐射较为敏感。该文讨论了Acid公司的FPGA芯片A1280XI．．在两种不同偏置条件下的1r电 离总剂量效应，并针对该公司的可编程芯片内部结构进行了辐射效应分析。 关键词：FPGA；电离总剂量： 辐照效应 随科技的发展，电子技术与辐射环境的 薄层氧化物加热生长到N+的表面，接着低 关系愈来愈密切。大规模现场可编程集成电 压化学气相沉积氮化物，在重新氧化顶层的 路FPGA在电子领域得到了日益广泛的应氧化物，利用这个ONO(氧氮氧)结构紧 用，然而，这类器件是由外延CMOS工艺缩电阻的分布，与简单氧化物反熔丝相比， 制造的，如果该器件工作于辐射环境恶劣情 改善了可靠性。 况下，则需要研究丫电离总剂量辐射对该器 用FPGA开发辐照样品，选取工作电流 件的损伤情况。 Ice为测试辐照参数，并确定了试验失效判 据，针对FPGA芯片A1280XL开发辐照样 1．FPGA结构与试验方法 品，用两种不同的辐照方式(一直加偏置、 测试时加偏置)对样品进行了Y总剂量效应 FPGA的结构由一个二维的逻辑块阵列试验，得到一些试验数据。 和连接逻辑块的互连资源两大部分组成。 Actel公司生产的XL系列A1280XL， 2．国外FPGA辐射效应情况 属于一次性可编程的，其CMOS采用O．81．tin 线宽，门数达8000门。FPGA采用通道式前几年TI和MEC公司对A1020进行 阵列结构，细粒度的逻辑模块按行排列，在 了总剂量效应测量，MEC的大于1000 行与行之间分布着丰富的布线通道，芯片四 周围绕着I／O模块。作为连线开关的逆熔丝 是一种多极型反熔丝，称为可编程低阻抗电 行研究，MEC的可以达到15Gy(Si)到 路元件(PLICE)。这是一种二端垂直结构， 500Gy(Si)，取决于批次，生产厂家。在 面积约为91．tm2。在未编程时，PLICE的阻 抗高达100Mfl，当18V编程电压加到其上 停的更新设计和继续减小制造工艺，有时区 时，建立一个双向的低电阻(约为100--一分引起辐射能力变化的原因很困难。例如， 600Q)，编程电流小于10mA，电容介于3～ 线宽1．2岬和1．0岬的A1280(A)器件来源 15fF之间。它的上面是一层多晶硅，下面是于AI N+掺杂硅扩散区，两者都是导体。在两者 制造线宽O．8pm和0．61am，A1280A器件抗 之间是一介质绝缘层。PLICE元件在标准的辐射性能较好(Ice小于6mA)，大约 12层掩膜双金属孪生槽CMOS工艺中被集 成。要求3个附加的掩膜：N+反熔丝扩散、 系列器件抗辐射性能更低，大约40Gy(Si) 反熔丝多晶硅和40rim氧化物掩膜形成编程或更低。更新的Chartered生产的线宽0．61xm 的高压晶体管，使掩膜总数达到15层。一 的A32140DX抗总剂量能力大约为 作者简介：袁国火(1975-)，男，工程师，长期在中国工程物理研究院电子工程研究所从事FPGA总剂量辐 射效应与加固技术研究。 377 第十二届反应堆数值计算与粒子输运学术会议 22Gy(Si)，然而由MEC生产的0．61am线宽的电离空穴在电场作用下被扫到Si02／Si界 的器件抗总剂量能力为300一--500 面，被界面附近的缺陷俘获。不加偏置时，