氢等离子体处理法晶化a-Si%3aH薄膜的FT-IR谱与Raman谱的研究.pdfVIP

陈城钊1 林璇英2 余云鹏3 余楚迎4 理系．广东汕头515063：4广东汕头大学物理系，广东汕头515063) 摘要：利用氢等离子体处理法晶化a．Si：H薄膜，对晶化后的样品进行x射线衍射谱(XRD)、傅里叶变换红外吸收谱 和退火时间的变化情况。 关键词：多晶碡F-IR谱R锄an谱5i—H键合模式 1、 引言 随着材料科学、微电子学、光电子学和能源科学等现代学科的发展，对多晶硅薄膜的研究、开发和应 用日益深化与广泛。多晶硅薄膜以其特殊的电学、光学及结构特性引起人们的兴趣。目前，这些特点己被 成功地应用于太阳能电池、液晶显示、薄膜晶体管(TFT)以及一些新型的光电传感墨、探测器等领域。 目前制备多晶硅薄膜的方法一般有化学汽相沉积，包括低压化学汽相沉积(LPCVD)、热丝化学汽相 沉积的非晶硅薄膜进行离子注入处理，再进行低温退火，以期达到人为地减少原始成核中心，控制晶粒大 小的目的。该工艺不仅要求相应的专用设备，同时也增加更加的工序【l，2J。本实验利用在较低退火温度下掺 氢等离子体气氛中退火，在475C的退火温度下，经1．5个小时的处理，获得结构稳定，光学、电学特性 优良的多晶硅材料。 火温度和退火时间的变化情况。 2、 实验与