MOS电容电离辐射陷阱电荷的研究.pdfVIP

MOS电容电离辐射陷阱电荷研究 刘忠立 (中国科学院半导体研究所北京100083) 擅要：采用高频C—V曲线方法，研究了500A及150]、MOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建 立过程，发现电离辐射空穴陷阱电荷密度在l×103GY(si)剂量F同栅si02厚度成正比，而在5× 103GY(si)剂量r同栅SiO!厚度的2倍成正比，利用电离辐射厉的隧道退火效应。计算出二种样品 屯离辐射陷阱电荷在Si--Si02界面附近分布的距离均约为40A。 1引言 电离辐射可造成MOS器件永久性损伤或半永久性损伤，其主要是由于电离辐射在MOS电容的 Si--Si02界面附近产生正的空穴陷阱电荷及界面态所致“1。这种辐射感生缺陷的行为，除了可以采 用空穴陷阱及界面态的建立方法加以研究以外，也可以采用空穴陷阱电荷建立以后的隧道退火方法 来进行研究“。。隧道退火是在正的空穴陷阱电荷建立以后，在MOS电容的栅电极上加正偏乐，使 s{中导带电子通过sI—Si02的势垒隧穿至Si02带隙中湮灭正的陷阱电荷而完成的．通过隧道遐火 · 设应随时问的变化．可以求出正的空穴陷阱在Si--Sio，界面处的分布距离。本文针对两种较薄栅SiO， 厚度的MOS电容，对其空穴陷阱电荷及界面态的建立以及隧道遐火行为进行了研究．特别通过隧 道退火效应的计算，求出_二种样品空穴陷阱电荷在si—si02界面附近分布的距离均约为40A左右。 2样品捌备夏实验 ● 2_1抖品制备 采用4—60．cm P刑100晶向si片．经磨片抛光清洗后，进行栅si02生长，生长条件为：H， o合成氧化．温度为875C。控制氧化时间得到二种栅Si02厚度，一种为150A，另一种为sooA。 且对应样品分别记作A和B a此后，州电子束蒸发A1并光刻成电极。接着背面去Si02及电子柬蒸 AI。在450C，氢气氛r退火30分钟，制成MOS电容。 2．2实t a)总剂量辐照实验 二种样品同时H!j中科院生物物理所C 060源进行辐照．辐照条件为：MOS电容外加IE电场l× 5× uc，由此求出 】03GY(si)。测量辐照前后高频C—V曲线．并求出相应平带电压V—e及中带电压V 相应Qot及△D b)隧道退火 继续上述实验，以5×1030Y(si)辐照后测量的C—V曲线为t=0时的曲线。停【}辐照，对 对应中带电乐V一(t1)、VMo(t2)及V”e(t3)。 -224． 3实鼍蛄果 3．1空穴陷阱电荷密度Q。，爰界面态窘度△D。 电容高频C—V曲线负向渫移。由于在中带时界面态不起作用，因此中带电压的漂移量△V“。直接 反映了Q呲。当偏离中带，例如在乎带时，界面态对电容曲线漂移有贡献，假定界面态密度增加量 为△D h， 由实验测量得到的辐燃前后高频C—V曲线求出对应的平带电压Vr。及V。。，由此计算出辐 照前后的平带电乐筹△Vru及中带电压莘△VMe并根据以F公式”1可分别求出不同总剂量D辐 照后Q。的产生及△D．。的建立， QⅢ=△V MG·C。／q △D产盟：血型坐盟刿“ (2) q舯s qtoxKTln(NA／ni) 式中C。。为栅Si02单位面积电容，其它符号同常．表1及表2分别列出样品A及B的一组实验结 果。 ●