屏蔽机箱上不接触贯穿导线HEMP感应电流的研究.pdfVIP

屏蔽机箱上不接触贯穿导线HEMP感应电流研究 余同摧，周璧华 【中国人民解放军理工大学二程兵工程学院，江苏南京2100{)7) 捕要：爱班卵慝射的徽机系统，其机葙外壳可感应较强骑电流．贯穿机葙外壳的连绒将速神电流}1八 枫葙内电路，可在电萼上产生过电压或过电流，从而使设备受到干扰或损伤．拳交用时域有限差分法验证 了以上结论．本文的研究对正确估算HEMP对擞机系统的干扰与损伤效应具有十分重要的意义． 关键词：电磁脉冲；微机；感应电流 引言 在进入信息对代的今天，微机获得了广泛应用。随着微电子技术的迅速麓睫，微机电路的集成度越来 越高，对核电磁脉冲(N岛四)的敏蘑性和易掼性也不断增加．高空拔爆炸产生的屯磁脉冲(髓MP)园 其场强极高，上升到峰值的时闻极短，覆盖范围报宽。西方国家将ⅧEh秤效应称为“电磁恐怖主义效应” …，并将对HEMP的防护列入了军用和民用标准．核威慑的存在雕3I‘I“，使得研究棱电磁脉冲对徽机系统 的干扰及j贾仿效应蹙樗十分迫诃。 微机主机与显示器、打印机、扫描仪等外设或其它系统的信息交换，均要通过机糟插座及连线来完成． 由于插座及连线构成丁导线对屏蔽机精的不接触贯穿，因而使帆糖的屏蔽效能大为降低．有人认为．由于 机箱外连线充当了接收电磁干扰的天线，当这些连线将其收集的电黠干扰传割机箱内，就造成了机箱的屏 蔽效能显著下降。按此说法，当机箱外连线长度非常小从而其收集的电磁干扰蟾量也非常小时，通过遵线 耦舍割机箱内电路上的电磁干扰就会很小。僵我们在实验中发现，无论连线的长度多么短，也无论脉冲电 磁渡从哪个方向照射，与连线相连的机箱内电路上都存在较大的耦合电流．事实上，由于孱蔽机箱外壳的 表面积较大，可产生较强的日腰感应电流，这些电流经贯穿虮糖外壳的导线和孔口的藕合进八帆箱内电 路，是造成机箱内电路受干扰与损伤的主要原因之一。 本文用时域有限差分法(FD-TD)嘲对不接触贯穿导线与机箱内电路衙让模型进彳亍了研究，计算丁不 接触贯穿导线引入帆禧内的壬玎lW，感应电流．计算结果表明，虽然不接触贯穿导线机籍外部升长度很小， 但与导线相接的机箱内电路上扔亭在较丈的鞫甄印感应电流．FD-11)法对计算机的内存和计算时间的需 求较大，为此我们在计算时采用完全匹配层(MPML)吸收边界条件来截断计算域． 1不接触贯穿导线与机箱内电路连接的 计算模型 图l为不接触贯穿导线与机籍冉电路连 接的简化模型示意图．由于机糖内电路千差万 别，且结构复杂．为研究方便，本文将贯穿导 线所连接的电路以一与饥葙内壁相接的等效 电阻晶代替．考虑到贯穿导线机箱外部分通常 有～定的长度，且与其它设鲁相连，为减小非 帆箱外壳耦台电流对机箱内电路的影响．本文 将贯穿导线机箱外部分促取很短的～段，并在 罔1不棒*膏牟鼻巍与虮簟内电奠尊耘台}I艄仉#耐 其柏点加一吸收性电阻负载艮．由于旺卵的 主要能量集中在无线频段，而屏蔽帆箱一般由导电率较高的良导体构成，因而穿透机螭璧到达机糖内的 旺堙能量可忽略。图1中机箱为一由理想导体构成的壁厚3u的长方休，其外壳的几何参数为： a=b=6cm,e=78cm。由于导线贯穿机箱时不与机糖接触，机箱壳体上必有一小孔让导线穿过．为计算方便， 本文将小孔取为1．2cll×1．2哑的方孔，而导线从其中心穿过．小孔中心距左右两棱边距离均为3e．I，距上、 下棱边的距离分别为4．8ell和3e1．贯穿机葙的导线及I【】与帆箱内壁相连的导线均取直径为l一的直导线， 两根导线的轴线重合。P-为R，轴线中点，距与：Z．1tl连的机箱壁7．§皿；B为贯穿导线轴线上雁Pl点3．3ci 的一点(机箱内)…RIj2的长度均取为姗，与＆相连的贯穿导线机箱井部分的长度取为6皿．本文主要计 算旺肝作用下机箱内电路上P．、如点的感应电流． 2细导线加载的模拟 雷2为细导线加载段轴向电墒与磁场环链 示意图．图中聪巧国为细导线加载段轴鲤中点 处的电场。在Y醅氏网格中将沿三十坐标轴方 向曲空间步长均取为△s，并假定细导线加载段 的长度和半径分别为△s和ra当△3报小而r 比△s又小得多时，可认为整个细导线加载段内 的电场均等于蹦ij∞，从而加载段fill的电压 ltl,j∞ u等于△S与Ez(ij∞的乘积．若加载段的电阻 值为艮目q通过加载段的传导电流为 I；u，R一△3