Si-%2c1-x-Ge-%2cx-%2fSi表面合金结构的掠入射X射线衍射(GIXRD)的研究.pdfVIP

石瑛，赵蓉，蒋昌忠 (武汉大学物理科学与技术学院，湖北武汉4300．72) 摘要：在一台三圆x射戏衍射诎E，采用掉^射 x射线衍射(GIXRD)技术，时在单晶s“001)村 2实验 底上用分子束外延方法生长的不同组静、不同退太 奈件下的500r瑚犀的s毛鼻‘夸仝屡进行了表面结构 在一台法国Ribet公司分子柬外延(MBE)装置 分析．研究发现：对外建生长后未退火．々SiGe夸垒 上·在1．33nPa乇的背景真空下．固源st、Ge被电子 柬燕发。沉积到表面经化学请洁和保护的单晶sj 样品．随着Oe含量的坩加表面,g．4e的晶格膨胀、蛄 构弛豫加剧；对相同Ge含量的合奎样品，退火时间 (001)村底上，沉积速率约为0．03nm／s．生长温度 为550℃-通过调节Si／Ge流量比．控制Si∞≮台金 t和退戈温度T的增加都导致弛豫峰变窄．夸奎蛄构 样品中Gc的含量z分别为0．3、0．4和0．5。制备的合 均匀化，表明适宜的退失隶井可设S