电化学交流阻抗法的研究n-型硅片表面铜沉积行为.pdfVIP

生产聚合物的工艺条件； (4)确定聚合物生产工艺与降解性能的相关性； (5)低成本、高产品质量的非有机溶剂清洁提取技术； (6)聚合物的修饰和共混加工技术。 参考文献 1堵国成，陈坚，商海军，等应用与环境生物学报，1996．2(3)：308—314 的电化学反应速度及分析交流阻抗结果，探讨了n．型硅表面铜的沉积机理。 1实验部分 1．1材料和试剂 实验用硅片为n(100)，电阻率为2～4Q·cm，由美国Texas 000 Chemicals公司购得。 ppm)贝lJ从美国Signm 1．2电化学交流阻抗实验 cm×1．5 极平槽改装(聚丙烯材料做成，容积大约为170m1)。工作电极为n(100)硅片(1．5cm)，在电解槽中 rq}厂、、 }厂飞j ． 。 ．