低剂量SIMOX圆片的研究.pdfVIP

低剂量SIMOX圆片研究 陈猛陈静张峰李炜徐彦芬陈可炜王湘刘相华王曦 (中国科学院上海冶金研究所上海200050) 好、线缺陷密度低、埋层厚度均匀、埋层硅岛密度低、且硅，二：氧化硅界面陡峭。这些研究表明， 低剂量SIMOX圆片制备工艺是很有前途的SOl制各工艺。 1前言 011 SOI(silicon 技术的研究迅速得到世界其他微电子公司如Motorola，AMD，Sharp,Texas 和积极响应。SOl技术较之体硅技术所展现出的巨大优越性是目前SOI圆片研究的根本动力。这 些优越性体现在SOl基徽电子器件的低功耗，低驱动电压、高速、耐高温以及抗辐照等，因此， SOI技术被认为是未来深亚微米集成电路技术的五个关键解决方案之一【l】．就目前而言，尽管各 种SOI圆片制各技术被人们发展起来以期制备出同传统徽电子工艺相兼容的质量优良的SO!圆 单、项层硅质量好且厚度可控、重复性和均匀性好等优点，从而在CMOS电路中被大量应用 昂．并且，大剂量SIMOX圆片位错密度通常较高(105 量超薄结构。这是目前SIMOX制备工艺发展的重要趋势，因为低剂量注八有以下优点：1、薄的 制备方面做了大量的工作，以期降低SOl圆片制造成本，突破SOl在微