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基于IGBT并联技术的PEBB设计 王宝归 曾国宏 （北京交通大学 新能源研究所，北京100044） 摘 要：受电力电子器件生产制造工艺的限制，为了提高电力电子装置的功率等级，一般采用电力电子器件直接串并联或是变流单元多重化串并联的方法。文章在总结绝缘栅双极晶体管 (Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)并联技术的基础上，设计了一个容量为250kVA的功率半导体组件(Power Electronics Building Block，PEBB 中图分类号：TM921.51 文献标识码：A 　　文章编号： Design of PEBB Module based on IGBTs Parallel WANG Bao-gui，ZENG Guo-hong （New and Renewable Energy Research Institute, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044,China） Abstract：As the restrictions of power electronic devices manufacture technique, we generally adopt the method of series/parallel connection of converter cells or direct series/parallel connection of power electronic devices, if we want to enlarge power rate of power electrical equipments. This paper first generalizes the former study about parallel operation，and designs a 250kVA Power Electronic Building Block(PEBB)based on IGBTs parallel. Experimental results show that the PEBB has a rational design and reliable operation to meet the design specifications, and has a high value of the application and promotion. Key words：series/parallel; IGBT; flow equalization; PEBB 通过电力电子器件串联或并联两种基本方法，均可增大电力电子装置的功率等级。采用这两种方法设计的大功变流器，结构相对简单，加之控制策略与小功率变流器相兼容，功率提升主要靠电力电子器件串并联数目的增加来实现，因此具有成本较低，便于不同功率等级变流器进行模块化设计和生产等优点。 通过串联IGBT可以提高变流器的电压等级，而通过并联IGBT则可以提高变流器的电流等级，从而提升变流器的功率等级。考虑到前者功率密度相对较低，从性价比出发，IGBT并联技术是最好的选择［1,2］。 本文首先分析了影响并联IGBT均流效果的主要因素，并得出在IGBT并联时需要遵循的原则。在此基础上，研制出一个容量为250kVA的PEBB，并对其进行实验测试。实验证明，该PEBB运行可靠，满足各项设计指标；具有成本低，结构紧凑，功率等级便于进一步扩展等优点。 1 IGBT并联运行分析 在多个IGBT并联使用时，由于驱动电路特性、器件特性和电路布局等的影响，将引起流过各并联IGBT的电流不均衡，器件可能由于过热而损坏。基于此情况，作者对影响并联IGBT均流的主要因素进行了深入分析，并得出PEBB设计时需遵循的原则。 1.1 影响并联IGBT均流的主要因素 IGBT和反并联二极管静态参数的影响 IGBT的饱和压降Vce(sat)、反并联二极管的正向压降Vf主要影响静态均流效果；IGBT的跨导gfs和栅极－发射级阈值电压Vge_th、反并联二极管的反向恢复特性（反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr等）主要影响动态均流效果[2,3]。 IGBT驱动电路参数的影响 并联IGBT的门极驱动电压Vge的大小主要影响并联IGBT的静态均流，而门极驱动信号的变化率、门极驱动电阻Rg、驱动线路的布局和感抗等参数则对并联IGBT的动态均流有很大的影响［3,4,5］。 主电路结构的影响 主电路的结构会造成线路感抗差异，并对并联IGBT的动态均流产生影响，而线路的电阻则影响静态均流。 1.2 PEBB设计需遵循的原则 模块的选择 通过选择具有正温度系数并且