TE平面波斜入射到表面磁化率模型呈现有效超屏超表面特征.docVIP

TE平面波斜入射到表面磁化率模型呈现有效超屏/超表面特征 摘要：本文提供了一个普遍的方法即用一系列的电和磁的表面磁化率去准确的描述超屏/超表面特征。通过新颖的构想，正常入射表面的S参数提取的超屏的微粒极化率与表面磁化率紧密相关，然后，产生的模型被用来测定斜入射的散射参数。多种不同的超表面单元的数值仿真证明了所提的方案的可行性以及精确性和适用性方面的优点。 关键词 ：超屏 超表面 斜入射 微粒极化率 表面磁化率 I 引言 超材料是典型的由散射阵列嵌入到电介质基质中组成的，由于它特别的特性以及自然界中并不存在，在十年前已经得到了广泛的关注。这种广泛的科学兴趣带来了革新的器件，举几个例子，比如[1]-[4]中完美透镜，微型谐振腔。除了以上提到的，研究也涉及到了超屏或者超表面。在表面上设计排列微小的电散射体，这种结构是超材料的二维等效。相对于体状超材料，超表面更容易制造，由于占用较少的空间，使其可更接受以及成为低损耗部件。这些优点激发了深层次应用，比如可控制表面，波导和吸收或屏蔽媒质。 最近，用已经证明归一化方法，研制出超材料体，能导致独特的有效本质参数。当运用到超表面上时，由于后者没有确定的媒质厚度[5][6].本质上，一个超表面更合适的采用引入一系列的有关在界面上的电磁场薄片转换条件(GSTCs)为特征。 因此，它们的明确的建模就能够通过计算特定的表面磁化率来完成[7], [8]任务Floquet 入射波它在远场区占主要地位的正确形式最后为了获得想要的模型表面磁化率通过平均极化密度值计算出来 这里 是自由空间阻抗，是波数。假设晶格系数与波长相比足够小，这样的结构能够用位于中心的朝向坐标系方向的三个电和磁偶极子代替金属微粒建模。这种TE-极化波和超材料单元情况下，只有X方向电和Y,Z方向磁偶极子考虑在内。 在这篇文章，我们首先通过正常入射平面波的S参数提取出微粒极化度。[9] 图1在超表面材料z=0平面斜入射TE平面波 这里和是参考面，K0是自由空间波数。同时C0是各个散射体和周围散射体电场-电场（XX）和磁场-磁场（yy）各自的相互作用系数。散射体分布紧密模式表达式在[9]中已证明。注意，沿着Z轴的磁极化也能通过表达式（5）从沿着X方向传播平面波利用其S参数评估。因此通过我们的方法，一个任意具有偶极矩和的局部场表达式可以写为： 这里，c代表光在真空中的传播速度 上式是无穷小动态交互作用系数 方程组（6）-（8）能被解出，同时，偶极子极矩与微粒极化率紧密相关。 在远场区域，离散的电磁偶极子极矩能被相应的极化密度替代。所有微粒偶极矩决定的的超屏的平均极化密度与表面磁化率和平均散射场有关，如下： 方程（12）-（14）规定为了求出期望的磁化率，平均散射场在Z=0+和Z=0-的交界面必须被求出。这些场被如下公式计算： 边界条件[6]分别为X方向电场和Y方向磁场表面电流： 都在Z=0的平面上。在这种框架下，给出的平均散射场公式遵循下面的形式： 将表达式（18）-（20）带前面求磁化率的（12）-（14）中，就完成了期望的超表面描述形式。然后，任意入射角度平面波的反射和透射系数就能在[7]中提供的公式中精确地求出来。这种方法论的创新点在于建模对任意的超表面通过组合电磁偶极矩完成斜入射。提取出的普遍磁化率模型和超表面的微观现象直接涵盖了微粒极化率和相互作用系数。因此，不像目前的技术，仅仅处理正向入射，新的算法提供了一种高精度的适用于远场和进场设置的方法，这里倏逝波除外。[7]和[8]中最终的磁化系数直接从超表面模型的S参数中提取出来（宏观方法），与之相反的是在[9]中的准静态混合微粒极化。在我们的技术中，结构的微观信息，像微粒极化和动态交互参数也包含其中，因此导致了精度的增强。这种模型可以用来解决电场边界问题和评估超屏斜入射平面波的S参数，就像我们在下面数值结果分析部分提到的。 III 数值分析 这种新方案与其他知名方案比较是被确认有效的，特别的，[7]和[8]中提到的方法，表面磁化率需要正向入射和斜入射的S参数。事实上，这种算法的主要缺陷就是它取决于斜入射的入射角θ，因为不存在一个最佳角度来精确决定任意入射角平面波S参数的取值。相反的，[9]中的方法利用稀疏矩阵近似法去叙述微粒极化度的表面磁化率，被证明在较小角度是适当的。 利用有限集成技术（FIT）[11]，我们仿真了许多单元结构（作为基准调试工具）来提取（4）和（5）中的微粒极化率和斜入射波的S参数来证明方案的准确性。在我们的仿真中，微粒考虑为无损，厚度为17的金属层，印制在1mm的FR4基质上，超屏位于ＸＹ平面上，周期沿着Ｘ轴和Y轴分别为a=b=7mm，运用Floquet定理沿着轴线周期排列该单元 图2（a）OE6电-LC谐振结构（规模：r=2.5mm.w=0.5