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《材料物理性能学》知识点 《材料物理性能学》知识点 《《材材料料物物理理性性能能学学》》知知识识点点 1、产生霍尔场的原因是，垂直于电子运动方向的磁场使电子受到洛仑兹力而偏转，并 向某一面聚积，结果是该面带负电，而其对面带正电，从而形成霍尔场。 2、量子自由电子学说同意经典自由电子学说认为价电子是完全自由的，但认为自由电 子的行为不服从M-B定律，而是服从Fermi-Dirac的量子统计规律。 3、当很多原子聚集成固体时，原子能级分裂成很多亚能级，并导致系统能量降低。由 于这些亚能级彼此非常接近，故称它们为能带。 4、能够携带电荷的粒子称为载流子，即电荷的载体。电子、空穴、正离子、负离子。 在金属、半导体和绝缘体中携带电荷的载流子是电子。 在离子化合物中，携带电荷的载流 子则是离子。 5、金属电阻产生的根本原因：当电子波通过一个理想晶体点阵时(0K)，它将不受散射； 只有在晶体点阵完整性遭到破坏的地方，电子被才受到散射(不相干散射)，这就是金属产生 电阻的根本原因。由于温度引起的离子运动(热振动)振幅的变化(通常用振幅的均方值表示)， 以及晶体中异类原于、位错、点缺陷等都会使理想晶体点阵的周期性遭到破坏。这样，电子 波在这些地方发生散射而产生电阻，降低导电性。 6、马西森定律：总电阻包括金属的基本电阻和溶质（杂质）浓度引起的电阻（与温度 无关）。 7、冷加工一般引起金属电阻率增加，这是因为：（1）引起金属晶格畸变，从而增加电 子散射几率；（2）引起金属晶体原子间键合的改变，使原子间距发生改变。 8、空位、间隙原子以及它们的组合、位错等晶体缺陷使金属电阻率增加，根据马西森 定律，在极低温度下，纯金属电阻率主要由其内部缺陷决定。 9、形成固溶体时，合金导电性能降低。在连续固溶体中合金成份距组元越远，电阻率 越高。 10、除过渡族金属外，在同一溶剂中溶入1%原子溶质金属所引起的电阻率增加，由溶 剂和溶质的价数决定，价数越大电阻率增加越大。 11、X射线与电子显微镜分析表明该固溶体为单相组织，但固溶体中原子间距的大小显 著地波动，其波动正是组元原子在晶体中不均匀分布的结果，所以称“不均匀固溶体”，又 称“K 状态”。K状态是“相内分解”的结果，它不析出任何具有自己固有点阵的晶体。 12、冷加工时导致合金的电阻率明显降低。 13、离子导电是带电荷的离子载流子在电场作用下的定向运动。参与导电的离子载流子 有两种:1) 晶体点阵的基本离子由于热振动而离开晶格，形成热缺陷。这种热缺陷无论是离 子或空位都可在电场作用下成为导电的载流子，这种导电称为本征导电；2) 参加导电的载 流子主要是杂质，称为杂质导电。在较低温度下杂质导电表现显著；而本征导电在高温下才 成为导电的主体。 14、离子电导是在电场作用下离子的扩散现象，离子扩散机构主要有：①空位扩散；② 间隙扩散；③亚晶格间隙扩散。一般间隙扩散比空位扩散需更大的能量。间隙-亚晶格扩散 相对来讲晶格变形小，比较容易产生。 15、随着温度的升高，离子电导按指数规律增加。低温下杂质电导占主要地位。这是由 于杂质活化能比基本点阵离子的活化能小许多的缘故。高温下，固有电导起主要作用。 16、离子晶体要具有离子电导的特性，必须具备以下条件：1）电子载流子的浓度小；2） 离子晶格缺陷浓度大并参与电导。因此离子型晶格缺陷的生成及其浓度大小是决定离子电导 的关键。 影响晶格缺陷生成和浓度的主要原因是：1）由于热激励生成晶格缺陷；2）不等价固溶 掺杂形成晶格缺陷；3）离子晶体中正负离子计量比随气氛的变化发生偏离，形成非计量比 化合物，因而产生晶格缺陷。 -2 -1 17、另有一类离子晶体，在室温下电导率可以达到10 S·cm ，几乎可与熔盐的电导 -1 比美。我们将这类具有优良离子导电能力（σ＝0.1~10S·cm ）的材料称做快离子导体(Fast IonCondustor)或固体电解质（Solid Electrolyte），也有称作超离子导体（SuperIonCondustor）。 18、根据载流子的类型，可将快离子导体分为如下类型：（1）正离子作载