变温霍尔效应.docVIP

变温霍尔效应 【实验目的】 了解变温霍尔效应及范德堡测量方法； 测量碲镉汞单晶样品变温霍尔效应，获得其霍尔系数、电阻率、迁移率、载流子浓度等随温度的变化规律。 【实验原理】 霍尔效应是研究半导体材料性能的基本实验方法，通过它可以确定材料的电学参数，如霍尔系数、电阻率、迁移率、导电类型、载流子浓度等。变温霍尔效应测量则可以研究材料上述电学参数随温度的变化，从而获得对半导体材料电输运性质的更深入了解。 A.电阻率 用范德堡法测量电阻率时（磁感应强度B=0），依次在一对相邻的电极间通入电流，用另一对电极测量电压。如上图所示，在M、P电极间通入电流，测量O、N间电压，得到： 当在M、N电极间通入电流时，测量O、P间电压，得到： 电阻率由下式给出： 式中，为样品厚度；为几何修正因子，也称范德堡因子，其值在之间，它是由于样品的几何形状和电极配置的不对称性而引入的修正因子。是/的函数，可近似表示为： 所以，对于范德堡法样品有： 式中，为通过样品的电流（测量过程中保持样品电流不变）；为电流从到时、电极间的电压；为电流从到时、电极间的电压；为电流从到时、电极间的电压；为电流从到、、电极间的电压；为几何修正因子，对于对称的样品引线分布，。 B 霍尔电压 进行霍尔电压测量时，由于存在热电势、电阻压降等副效应，要在不同电流方向和不同磁场方向下进行四