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SESAM启动飞秒太瓦激光脉冲系统的研究 王清月，王勇，柴蹴张伟力．戴建明，邢歧荣，张志刚 天津大学精密仪器与光电子工程学院 摘要：本文介绍一个太瓦量级飞秒脉冲放大系统。它的特点是采用半导体可 饱和吸收镜作为锁模启动器，以保证锁模的稳定。本文先介绍半导体可饱和吸 收镜的，然后介绍系统的结构和特性。 飞秒激光脉冲脉冲在物理学，化学，生物学等很多领域都有现实和潜 在的应用，特别是在强场物理，激光脉冲与等离子体相互作用等方面有不 可替代的作用。 太瓦级飞秒脉冲激光器由振荡器，脉冲展宽器，放大器和压缩器组成。 其中最重要的是振荡器，它提供脉冲的种子源，其稳定性关系到放大器的 脉冲宽度和频率的稳定性。目前已经开发的太瓦系统的振荡级基本上是克 尔透镜锁模激光器，其优点是结构简单。但是锁模不能自己启动。实验表 明，若一个放大系统没有任何启动和稳定锁模的装置，锁模极易受到外界 干扰，并可能随时停止，使整个系统工作中断，并影响整个实验。 启动和稳定锁模可以分为主动和被动两种方法。主动器件是在腔内加 入调制器，被动是可饱和吸收器等，其中最简单紧凑的是半导体可饱和吸 收镜(SESAM)。自从它问世以来，备受关注。但是由于它牵扯到半导体生 长等复杂工艺，一般的激光器研究者也不容易接触到。 1995年以前的半导体可饱和吸收镜是直接生长在所谓超晶格布拉格反 射镜上，对于钛宝石激光器来说，它的反射带宽域限制在60-nm，脉宽30—fs 以上。1995年出现了宽带可饱和吸收镜，可以支持10—fs以下的脉冲。 它用金属银做反射镜，是半导体生长后经过镀膜和腐蚀等工艺制作而成， 更加复杂。但是它的致命缺点是非常高的损耗和非常低的成品率。高损耗 是金属膜特有的性质，低成品率是镀膜和腐蚀工艺的困难造成的。 1998年以来，作者之一参加了宽带低损耗半导体可饱和吸收镜的研制。 利用镀膜的基本原理。在金属层和半导体层之间增加了一层低折射率的介 质层，再加上改善镀膜和腐蚀等工艺，使SESAM在损耗大大降低的同时， 成品率大大增加。作者首先把它用在了对损耗比较敏感的激光介质，如镁 困难的钛宝石用的宽带低损耗半导体可饱和吸收镜也实用化了。 半导体可饱和吸收的机制是，电子吸收光子的能量从价带跃迁到导带， 然后快速跃迁到低能态。电子在导带的弛豫时间可以分为两部分(图1)， 带内跃迁(局域化时间)和带问跃迁(载流子寿命)。带内能量局域化时 都远远小于脉冲在腔内的往返周期(一般为lOns)。半导体可饱和吸收的 这一时间特性使SESAM提供了一个反射率的高速快门，使SESAM对于腔内 连续光的最大起伏的损耗最小，而其它的弱小起伏受到抑制。结果是腔内 仅仅存在这个最大起伏，也就是锁模的自动启动。 图1半导体快速驰豫时问特性。 图2低损耗宽带半导体可饱和吸收镜的结构 SESAM的设计比较复杂。半导体可饱和吸收的吸收边取决于禁带宽度。 禁带宽度首先由半导体的本身性质决定，并且可以通过二元或者三元半导 体中个组分的配比调节。为了获得较为均匀的吸收，一般采用一维量子阱 结构。量子阱的厚度也可以用来调节吸收边(禁带宽度)。此外，半导体 与衬底材料的晶格是否匹配，有无应变，都是影响禁带宽度的因素。半导 体的生长温度，也会影响载流子寿命。 在用于钛宝石激光器的中心波长800一nm的SESAM中，量子阱的结构是 Ino．08Gao92As，厚度是5-nm。势垒是A1065Gao35As，其总厚度是3％／4，这 样量子阱放在驻波电场的最大值处(图2)。在半导体和金属膜之间，镀 了一层0．2波长厚的A1：0。膜。选择这样的厚度是为了保持反射镜的中心 波长不变，因为金属膜的折射率是复数。选择Al：O。是因为它在一定条件 下与金属结合力比较强。 (a) (b)’_。。槲。。。 圈3 PD是光探测器，PMT是光电倍增管．SHG是倍频晶体。b)脉冲从启动到飞秒锁模的过程。因为 示波器的取样速率太低，图中尖峰并不代表独立脉冲。 经过粘贴、研磨和腐蚀等工序，SESAM露出4mmx4mm大小的镜面。把 276 它用导热银胶粘在金属盘上，就可以作为腔反射镜使用了。 我们用这样的SESAM作为腔镜之一，并把它安装在一个可