3英寸N-111-区熔中照硅单晶微缺陷地研究.pdfVIP

1 3英寸NI1区熔中照硅单晶微缺陷的研究 梁洪 王向东 邹新俊 (蛾帽半导体材料厂、所 蛾眉山市614200) 捕要：目前中照后的区熔单晶一般都在850C进行热处理以消除辑照损伤并使30Sl嬉变形成的磷原子达到电 激活，但一些。英寸的N111常舰无旋涡原始区熔硅单晶在中照及850C退火处理后其体内会出现旋涡缺陷。本 实验的研究表明，果用I100C温度对中照后的碳含量符合国标要求的：；英寸NiIc篷熔硅单晶进行退火处理， 晶体体内不会出现旋涡缺陷；同时，在晶体碳含量较低(小于3×it)“at／eq)豹情况下采用850C韵热处理方 法不会对器件生产造成不良影响。 引言 目前的硅单晶产品大郡是无逝错单晶．但这些无位错硅重晶中不可避免地存在着诸妞空垃、硅自间隙原子、 杂质形成的间隙原子和代位原子等点缺陷j。这些点袭陷在晶体中的溶解度随晶体温度妁降低而降低。1生晶体 冷却过程中，这些点缺陷会处于过饱和状态并以硅单品中氧、碳杂质为核逐渐凝聚形成较大的按碳分凝花纹分 南的微缺路。经择优腐蚀，这些微疑陷在宏明L呈现出旋涡状分布花纹郎人们常滋的旋涡蕞陷“一。。在器件生产 均热过程中．苜旋涡缺陷奇勺区域往往会声生沿旋涡舒南的热氯化缺陷，给器件生产造成危害。’，通过采用杂质 含量较低的高纯笤晶硅原幸}沣在晶体兰受过程中防lI系质污丧，?抄硅单晶山的氧、碳等耷害杂质含量，同时 选择适当约晶体兰长述宰和轴胡温露礤成等荦晶生：、备仕．趣理生产驹甄眙匪熔硅单品。u已j硅，步茸旋涡缺珐丁 1宦实验表明，部分：j英、r、(111，常观无旋涡原始兰j靳!草晶再}敏}为提高电阻率均：j性而送行拘中子辐麒以睫 为?弹琮辐照损伤和慢‘si埴：芝彤战豹磷原子达到电激括而连打鞫850C退火处理后其体内会出现旋涡缺陷。对 寸直径区熔硅单晶扮跌陷问题过去人们已{f过许多研究．近来旺培硅草晶直{醚来越大，而大直径区熔中照硅 单品的辐照情况及热处理过程由晶体最陷的转化情况与小皇。童重晶不尽相同，奉实验韵巨构是透过，埘热处理后、! 英寸Ⅵ111，区焙审照荤晶微斌陷韵研究，j’辑黼0℃驾魂岳迁理万哇对器什生#钓影蹰情况、同时探ij更为理 息构‘：荚寸、jll：X落中照荜晶的热赴理膏法， l实验 I实验样品：实验样品采用j《寸～(【Il、蒙始区熔醢童曷，善氧、磺杂质含量均符合国标孽求．小于：3× 10～at／c一． 1：实验设备： 6K-6高温扩牧炉。温度蔼围?00—1250℃： 3uG—05大型金相最微镜。 1 j实验步骤： L3．I对42个3英寸[K11D区熔硅单晶样品中照前后的常规微缺陷进行跟踪检测，了解常规无旋涡缺陷原始 区熔硅单晶在中照及850℃常规热处理方法热处理后俸内常规微缺陷的变化情况。 1．3．2切取5一IO I厚的实验样品避盱常规捡巍检测内容包括电阻率、少于寿龠、常规微缺陷．捡巍方法采 用相应的国家标准． l‘00●0●--●‘■■E I．3．3选取lO个常规检测无旋涡缺陷实验样品进行中子辐照。中照时根据样品的原始电阻率值和目标电阻率 值调整辐照剂量。 I．3．4将这10个中照后的实验样品切割成三部分．然后分别用下列三种不同的热处理方法进行退火处理。热 处理前样品必须严格清洗． 方法A：850C，干氧气氛，恒温2小时，炉内自然冷却，处理时在晶体表面涂抹五氧化二磷。这是常规的热 处理方法。 方法B：I100C，干氧气氛。恒温2小时，炉内自然冷却。 r． 方法c：1100，湿氧气氛．恒温2小时。停炉后降温至900C时出炉，炉外快速冷却。这是国标GB4058- 船中模拟器件工艺的热氧化方法。 l_3．5对以上热处理后的样品进行常规微缺陷检测。检测时先将样品进行化学抛光(化学抛光的去层量一般在 100