FCVAD合成非晶金刚石薄膜的研究.pdfVIP

2000年lO月·广西·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 FCVAD合成非晶金刚石薄膜研究+ 王广甫“2’ 田人和2’吴瑜光2’张孝吉2’张荟星2’ (1)北京师范大学分析测试中心，2)北京师范大学低能核物理研究所，100875，北京) 摘要用磁过滤阴极真空弧沉积(FCVAD)方法在si衬底上合成了非晶金刚石(ta．C) 最高，可达80％以上。 目前-合成非晶金刚石薄膜的方法有两类。一是用璇氢气体等离子体辅助化学沉积方 法·这种方法合成的类金刚石非晶碳薄膜，因含有17—60％的氢，而被称为含氢非晶金剐石 薄膜。另一种方法是采用物理气相沉积(PVD)方法由石墨产生碳原子柬、离子束或等离 子体来合成的。这类方法台成的类金刚石碳膜不含氢，通常称为无氢非晶金刚石薄膜。园 这种薄膜中含有大量C-C四面体键(sp’键)．所以也常被称为四面体非晶碳膜，简称Ta- C·ta-C薄膜由于不含氢．s矿键c原子间距短、强度高，从而使薄膜具有较高的硬度和密 度，稳定性也比a-C：H薄膜好。 磁过滤阴极真空jt沉积(FcvAD)方法具有阴极材料离化率高、沉积离子能量可大范 围调节、沉积温度低和沉积速率高等优点，