宽禁带半导体材料与纳米材料的低温光致发光研究.pdfVIP

宽禁带半导体材料及纳米材料的低温光致发光研究‘ 万寿科，孙学浩，张金福，王占圆 (中国科学院半导体研究所材料科学实验室．北京100083) 搞蔓t我们近期建立了一叁适用于宽禁带半导作 材料和蚋米材料进行低温PL测试的乐境．谊曩纯对 2低温、变温PL测试系统 MOCVD法生长，以适当配比鼠掺Sj、zn杂质的6H —G甜单晶薄膜进行潮量．在300K时。A峰为带 本研究建成一套低温、变温PL潮试系坑．其中 迫峰，波长为367，Into(3，37．5Ⅳ)；B峰为si，zlI 单色仪为法国的H25，波长范围180一1000nm：探 发光峰．连长为429．8nm(2,883eVLB峰强度是A 捆器为GaAs阴极的c31034型光电倍增臂；激发光 峰的14倍左右，谊材料可作为制追蓝光LED的优源为日本IGnunon公司的He-CⅪ激光嚣．波长为 _良材质．时掺N的6H--SiC单矗律在20kV高压下 325ran(，J1一)。：身事为35row·样品室采用美国 鼻子注八B(碉)，其表皮为l007％r鲁，进而在1700