通过无汞precursor膜的退火制备汞基超导薄膜地研究.pdfVIP

121 复窒星垒璺堕堡翌鏖芏盔金垫篮塞基 通过无汞Precursor膜的退火制各 汞基超导薄膜的研究 郭建栋孙云峰徐晓林熊光成高春旺赵文辉 北京大学物理系北京-100871 u，10。。。中 汞基铜酸盐中超导电性的发现引起了广泛的注意。特别是在HgBa2Ca。．。c 到了人们的关注。而把这些材料有效地应用到超导微电子装置中．则需制出高质量的膜。 因此汞基超导膜的研究成为一个重要的课题。 气中水分及CO：的严重敏感性以及HgO、Hg的毒性和挥发性而使这一工作成为一个困难 的工作。对于薄膜材料，由于膜层厚度仅有500nm左右，这一问题更为突出。 目前，较为成功的制备汞基超导薄膜的办法通常包含两步，首先制成非晶的Precursor 膜，然后再进行退火，使其晶化具有超导性。 制备Precursor膜可以使用磁控溅射的方法，或激光烧灼的方法；所使用的靶材可以 含Hg成分的靶所制各的膜当然必须在一个有汞气氛中进行退火以形成标称组份。对于已 含汞的膜，事实证明也应该在一个受控的汞气氛中退火，这对于形成稳定的超导结构是必 要的和有益的。 Y．Q．Wang等人最早报道了他们的试验结果。他们是通过把一个射频溅射的 提供了一个控制薄膜结构及均匀性的适宜的方法。但是该薄膜沉积系统结构的复杂与价格 ， 的昂贵限制了它的广泛使用[5]。s．Miyashita等人通过激光烧灼及随后在受控汞气氛中退火 用喷雾热解法制成Hg-1212薄膜及厚膜。他们是以硝酸盐为起始物，使用喷雾热解技术制 成0223 差查墨全璺里堡整照茔垄金塾监墨苤 !!! 均获得了成功。这一方法开创了磁控溅射和激光烧灼之外的一种新的成膜方法，但膜的厚 度较难控制f71。 本文中我们报告首先用脉冲激光烧灼法在SrTiO，衬底上制各非晶的不含Hg的 此烧结后的混合物经研磨后压制成直径30mm的靶型。该靶型再在850℃灼烧5小时。特 小程度。烧灼好的靶型要立即保存在干燥器中。 膜在氧气气氛中冷却到室温，制得的无汞膜为黑色，表面光洁如镜。 已沉积成的无汞膜必须在高温下与汞源一起退火，以形成外延的Hg-1212相。 得到的。先将沉积成的无汞Presursur 膜夹在两片被压制成10x20ram的片状 |【av 箔包裹它们，然后将其放入一个石英管 中。为了防止包裹的不够严密，再装入 8口■督一鹾 够填埋Au箔包裹物为宜。将石英管抽 空熔封，放在一个不锈钢管中作为保护 措施。全套装备加热至750．770℃保持 o5小时，随炉冷却到室温，这样就获得 了HgBa2CaCu20，薄膜。 圈IHg-1212膜温度与电阻的关系 薄膜的Tc用四针法进行测量．膜 零电阻状态．(见图1) 有很好的单相性。其很强、很尖锐的(OOn) 衍射峰说明薄膜