陶瓷的相变和韧化及其应用研究.pdfVIP

2004中国(青岛)材料科技周 CMF2004 陶瓷的相变与韧化及其应用研究 周 玉 (哈尔滨工业大学材料科学与工程学院，哈尔滨，150001) 本文以哈尔滨工业大学材料科学与工程学院陶瓷研究组近年来关于陶瓷材料的相变与韧化研究的成 果为主，概要介绍了有关陶瓷材料相变与韧化极其应用等方面研究的高水平成果。首先在 Zr02 Y203(Ce02)，相变研究中阐明了c—t扩散型相变与ct’无扩散相变的过程机理与相变产物的微观 组织特征，阐明了t-m相变的形核长大机理与晶体学位向关系及其与金属中马氏体相变的相同与不同特 点。利用Zr02(Y203)相变韧化作用，使该陶瓷的韧性和强度显著提高。并且提出了不同尺寸的晶粒产生 不同韧化机制的观点，进而利用Zr02(Y203)的相变韧化和SiC晶须的短纤维韧化机制，使 强度显著提高；提出了相变韧化、晶须拨出与桥连韧化、晶须与颗粒阻碍裂纹转向韧化等多重机制复合韧 化机理。本文还介绍了SiC颗粒和SiC晶颁及SiC片晶增韧A1203、Si3N4、Ⅸ+BSialon、Si02等陶瓷复 合材料制备、处理工艺、组织结构与性能关系的研究结果。同时，介绍了LiTa03(功能陶瓷)+A]203(结构 陶瓷)复合材料的组织结构与性能特点。最后，介绍了有关应用实例。 关键词：陶瓷，相变，韧化，应用 一、Zr02-Y203陶瓷的c—t’无扩散相变 由于原子来不及扩散，则材料发生无扩散型C-t’相变，其相变产物的组织结构特征是相变孪晶及 各孪晶变内的反相畴界(如图1)。随Y20a含量增高，相变孪晶的数量减少，反相畴的尺寸减少，(如 图2)，同时t’相的正方度减少，即a、b轴增长，c轴减短。这是由于随Y。O。含量增加，使c—t相 变时晶体内氧原子的位移减小，同时由于YzO。含量的增高，使畴界能减小，导致反相畴尺寸减小， 畴界增多。由于正方度减小，导致相变应变减小，则不需要产生大量的孪晶来协调相变应变。因此， 随YzO。含量的增高，相变孪晶的数量变少。图4给出相变产物同一区域三个{112)衍射斑点的暗场像。 像分别显示的是三个孪晶变体。分别对三个变体进行选区电予衍射分析，进一步验证三个变体分别 与三个112类斑点相对应。这三个变体中的氧离子位移方向互成900角，即三个变体中氧原子的位移 方向分别是沿晶胞的[001]，[010]和[100]方向产生的。 按照c—t相变的点阵重构及原子位移模型进行模拟计算，结果表明三个i12类斑点的出现是与 三个变体晶胞中氧原子分别沿各自的[001]，[OlO]，[100]方向产生位移相对应的。 同一晶带不同Y。o。含量试样的112类(超点阵)斑点的衍射强度，分析结果表明随YzO。含量的 增高，超点阵斑点的强度降低(并非样品厚度的影响)。112类衍射斑的强度随氧原子位移量的变化 的计算结果表明，随氧原子位移量的增大(在一定限度内)，112类衍射强度增大。从而进一步说明 氧原子的位移引起112类斑点的出现以及氧原子的位移量与112斑点强度相对应。氧原子的位移引 起正方度的出现，同时氧原子的位移引起反相畴界的出现，正方度的出现导致三个相变孪晶变体的 产生，以协调应变。 CMF2004 2004中国(青岛)材料科技周 、j Y?0。含壁增全8m01％Elj，相变j擎晶消火，Jt有捂常细小的反树畴。XRD结果表明其为●：方丰lj， 即尤II‘疗度。似112类斑点仍然}¨现，说明此时品胞内仍有氧原子位移，只是位移量很小，小全引 起II·方度；我们把这种棚叫做C’相。当Y!O斗H为75．0J％时为临界状态，即出现相变孪品的¨R成 份，试样某蟪区域’J8t001％Y。O。试样样，无相变李品，只有细小的反相畴；某些区域与7m01％Y20 试样棚同，J“生柏变孪晶(图4)。当Y20-t含量增加到】4m01％及其以上时，c1相变被抑制，C相被 稳定到室温，形成FSZ(图5)。 二、Zr02—7203陶瓷的c-t扩散型相变 r扩散型ct相分离。即在C相基体上析出t相。在时效初期(温度较低、时间较短时)形成具有 方向性排列与基体共格的细小颗粒．呈花昵状组织(tweed struct