ZnO薄膜室温荧光光谱(PL)研究.pdfVIP

2000年lO月·广西·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 ZnO薄膜的室温荧光光谱(PL)研究 叶志镇，陈汉鸿，刘榕，张吴翔，赵炳辉 辅要利用直流磁控溅射法在sioll)衬底上制备了C轴择优取向一致的ZnO薄膜，在室 分峰现象。并伴有较宽的绿光发射峰，XRD谱表明衬底温度对ZnO薄膜的光学性能有很 大的影响．ZaO晶粒与晶粒间的晶界应力与uv分峰现象有关，而ZnO薄膜的点缺陷影 响薄膜的绿光发射峰。 关键词ZnO薄膜，Si(m庸：t底，磁控溅射法，紫外光发射 1．引言 近年来，由于蓝光、紫外光等短波光学器件的巨大潜在应用，直接宽带半导体材料的 研究越来越受到人们的重视，目前GaN是研究得最为充分的宽带半导体材料，基于GaN的 蓝色激光二极管已经实现商品化”】，ZnO是另一种很有应用前景的直接宽带半导体材料， 其晶体结构和光学性能与CraN非常相近t2,”。ZaO中的氧原子易形成氧空位而使薄膜呈N 型，不易得到P型薄膜，因而限制了ZnO薄膜的应用，最近有报道在ZaO薄膜中共掺杂 Ga和N，可实现ZnO薄膜的转型141，但与GaN相比，ZnO具有制备简单、沉积温度低、 激子能量高(60mev)和较低的电子诱生缺陷等晚点t-a]，因而特别适合于空间应用。 5CilR关于ZaO薄膜光学性能的报道一般都基于蓝宝石衬底上的ZnO薄膜【5“】．如果 能够在硅衬底上生长薄膜．将光学器件与传统的硅平面工艺相结合，具有很重要的意义， 目前在硅村底上生长GaN薄膜的研究正在进行中们。有文献研究了直流溅射法谁I备的硅衬 底上的7_,nO薄膜退火后的阴极射线荧光光谱，其PL谱上出现两个展宽峰，分别处于紫外 161。和MOCVD嘲 波段和绿光波段18】。对ZaO薄膜光学性能的研究，一般用MBE嘲．PLD 等薄膜制备方法，与这些方法相比，磁控溅射具有设备简单，成本低和沉积速率快等优点。 本文对在(111)Si上用直流磁控反应溅射法制备的ZnO的光学性能进行了研究。 2．实验 本实验用直流磁控溅射法在硅村底上生长ZnO薄膜，用高纯氧气(99．99％)和氩气 (99．99％)作为溅射气体，纯度为99．99％的金属锌为靶材，村底为P型单面抛光(111) 硅片。溅射前硅片用改进的RCA方法清洗，用机械泵和扩散泵组成二级抽气系统．溅射本 XRD和室温PL谱对原位沉积的ZnO薄膜进行了分析。PL谱的激发源为He-Cd激光器， ResearchSR830DSP 激发波长325nm．功率25Inw．用1P28光放大器收集后，经Stanford 锁相放大器放大。XRD用铜K为射线源，波长为0．1542nm。 2000年10月·广西·北海 第七屑全国固体薄膜学术会议 主 { * 35 tO 20 25 ∞ 自br“㈣ErⅧ㈣ 图1．不同衬底温度下ZnO的室温PL谱(a)159C，(b)369。C 图1为不同衬底温度下7110薄膜的室温PL谱。在图(a)上出现了三个接近ZnO禁带 宽度对应于紫外(UV)波长的峰。许多文献报道ZnO薄膜的室温PL光谱上只出现一个uv 峰．其能量为3．3ev眠‘91．，而在低温下，PL谱上的近带边峰非常复杂，通常出现三个峰， 与图l(a湘近眦“l。vSrikant和DR．Clarke报道了当ZnO薄膜在不同应力状态时ZnO 禁带竟度的三个典型值3．1ev、3．2ev和3．3ev【I≈．与图l(a)F的三个峰值相接近，因此我们 认为这对应于能量3．1ev和3．2ev的峰可能是由于溅射法薄膜的沉积速率较快，柱状晶晶界 之间存在着较大的应力，晶格产生畸变，导致禁带宽度改变而引起的。当树底温度较高时， 在相同的沉积速率下，反应原子具有较高的迁移能量．ZnO薄膜的结晶质量提高．晶界应 力下降。因此在图1(b)上．能量为3．1ev的峰消失，而能量为3．20ev的峰的强度也下降， 且对应于禁带宽度3．3ev能量的峰变得较窄。