GaAs%2fGe太阳电池质子辐照探究.pdfVIP

GaAS／Ge太阳电池质子辐照研究 张新辉 (信息产业部电子第18研究所) 王荣 (原子能科学研究院核物理研究所) 摘蔓：本文介绍了对G“s／Ge太阳电池进行质子辐射实验和实验设备．用不同能量的质子和不同辐 射总量对G“s／Ge太阳屯池进行质子辐射实验的实验结果，井与单晶硅太阳电池的辐射情况进行对比。 质子)辐照 美_谰t@“s／Ge太阳电峻 。L 一、引言 GaAs／Ge太阳电池具有转换效率高、耐高温、耐辐射等优点，但是由于它价格昂贵．目前只能用 作航夭器能源。航天器在空间．一直处于带电粒子构成的辐射环境中．遭受带电粒子的轰击、紫外光 线的照射和温度交变的影响。使用在航天器上的太日I电池的性能要衰降。 空间辐射环境由地球辐射带、太阳宇宙射线和银河宇宙射线组成。地球辐射部分为范艾伦辐射带 和人工辐射带．人工辐射带的内辐射带和外辐射带主要由质子和电子构成，当太阳耀斑发生时，伴随 有大量高能带电粒子的发射，所发射的高能带电粒子被成为太刚宇宙射线。这些带电粒子大部分由质 子组成。银河宇宙射线是来自银河各个方向的高能带屯粒子，绝大部分是质子。 在地球不同高度的不同轨道上，各种辐射粒子的能量和数量是不同的。通常使用1兆电子伏特的 电子来等效空间带电粒子的辐射，取得数据再与实际情况进行比较。对太阳电池进行电子辐射和质子 辐射具有等效作用，所以对太阳电池进行不同能揖、不同强度的质子辐射实验也是非常重要的。 根据NASA路易斯研究中心的辐射实验情况．他们用来做质子辐射实验的质子能量在0．5-10MeV 范围．质子通量为109到10”范围(J)。 我们用以进行质子辐照试验的GaAs／Ge太阳电池是用MOCVD法制作的．其结构简图如图1所示． 口层 ■l^育靠一■站鞠抟OaAs太旧毫浊■桷示●一 二．实验 GaAs／Ge太阳电池质子辐射实验是与原子能研究院核物理研究所合作共同完成的。使用-HI一13串 列式静电加速器。加速器主体为美国高压：【：程公司(HVEC)产品，可以加速从H到U的各种离子，对 5E13、7E13等。 173 质子辐射试验装置如图2所示。被辐射的电池垂直安装在辐射靶室(样品室)中，真空度好于 um)隔开，窗口大小为30X3cm2。扫描 有可转动ZnS光靶、观察窗，二室之间用Kapton膜(膜厚25 系统由扫描磁铁和陶瓷管道组成，调节扫描磁铁的电流可以调节扫描面积。通过调节扫描磁铁扫描电 流可以预设质子柬斑注量率。 匿2质子辐射试验装置示意田 三．结果和讨论 s c、Ic、和n的衰减 1．电池的vo 锗砷化镓太阳电池经高能电子的辐射，电池性能的衰减就是输出功率的衰减，实际就是电池开路 转换效率q随辐射质子不同能量和不同辐射总量的衰减变化。 毫 堇 幽 删 积 嘬 基 I 罂 辐照量(P／crn2) }}h；；r0丸}；n{{+“r辨落莨F㈠■；如；0 图3龇，ac太阳电池Voc衰降率曲线 174 ^ 誊 譬 一 瓣 硼