Co%2fNi多层膜各向异性磁电阻研究.pdfVIP

Co／Ni多层膜的各向异性磁电阻研究+ 王支玲，同云松，闵子建，陈金昌，郑鹉 (首都师范大学物理系．北京100037) 擅墨：采用磁控溅射方法制备了蛄袖相同、溅射 X o．I-O．2nm，s之间a周期结构和织构由D哪X-RB 气压不同的两十系列的Ch烈i多晨膜，进行了姑构、 射线衍射仪的小、太角衍射图谱确定，磁滞回线采 磁挂和磁电阻洲量．发现C甜啪多层膜的屡御鞋性耦 用MieroMagrr。2900交变梯度磁强计测量· 奢性质随制备条件等同素的变化现象．其各向异性 我们捌备了两套结构完全相同的样品。即 、 置曹电阻的大小主要受糈顿力影响，在室温下基本没 、 Ec050nm／Ni50nm]I【C025nm／Ni25nm]2 有巨磁电阻效应．讨论了磁性屡舡构和界面对于多 [C012．5rim／Nil2．5nml,、【c06．3nm／Ni6．3nm】-、 屡腱的磁性与各向异蝴营电阻效应的影响． 、 、 【C03．2nm／Ni3．2nm]16【C01．6nm：Nil．6nm]，， 关毽词：Co／Ni多屉蕨；各向异性磁电阻；矫顽力； fC00．8nm／Ni0．8nm]．u．方括号内为每一层的厚度． 织构 nm． 注脚为多层膜的周期敦．样品的总睫厚均为100 每一样品的co和Nj层积累厚度均为50hm．两套样品 1引言 的溅射气压不同．第1套为O．1Pa．第1I套为0．SPa· 自从G岫bc曙等人II棚在金属多层跌中观察到 3实验结果与讨论 铁磁层闻的反铁磁耦台现象以后．人们已经对诸多 多层膜的输运性质做了大量的实验和理论研究-发 3．1 屉覃对Co／Ni多层一AMR效应的髟响 现了“巨磁电阻GMR)’效应。成为十数年来的一个 采用直线四探针方法测量AMP．，{羊品方向固定， Oe·样品I的电阻率 研究热点。但是，除了一些软磁材料制备韵自旋闼 磁场可旋转。其最大值为300 结构之外，具有较大GMR效应的多层膜一般其鞋场 明显较低(见圈1)。且两套样品的电阻串均随周期 灵敏度较低．与实际技术应用的要求还有一定的距 数的增加及层厚的碱薄有摄藩变化。说明制备条件 离a从而使一些研究小组将目光投向了完全由铁磁 对电阻率有非常大的影响·样品II电阻率较大的原 性材料制备的薄膜，得到超晶格效应造成的电盟振 因可能是尊膜中混杂较多的氲气、以及薄膜缎枸的 荡现象口·m、忘更斯电桥方式测量出的板高磁场灵敏 择优取向较差造成的．后一点可以由样品的x射线高 度现象n”等·本文介绍我们对于co和Nj两种磁性材角峰较弱证实· 料构成的多层膜的一些研究结果． 我们用磁控溅射方法制备了Co／Ni两个系列的多 层膜．并对样品进行了结构和磁性等测量，以期对 多层膜的备向异性磁电阻(胍)效应的机理有更深 入的了解。结果发现，多层膜磁性层之间的耦合性 质随制备条件变化-对于同样的结构亦可以不同· 从而造成多层膜舶剩磷比、矫顽力，舳等宏观特 性以及晶体生长情况的不同。本文仅就我们的实验 结果作出定性的分析和比较，井对影响AMR效应的 原因作一些探讨．