MOS-D旁路二极管在太阳能光伏中的应用和其可靠性研究.pdfVIP

MOS-D旁路二极管在太阳能光伏中的应用及其可靠性研究 （摘要） 蒋李望 扬州扬杰电子科技股份有限公司，江苏扬州215000 摘要：作为绿色能源，低碳经济的世界发展要求，太阳能发电是实现这一目标的重要项目之一。近年来受 到各国政府的重视和支持。从专家和权威机构的统计数据可以看到太阳能发电行业的高速和持久发展。 大型太阳能电站或小型住宅太阳能发电装置，都是由若干块 “太阳能发电组件”窜联、并联后，通过逆 变器向用户提供电能或并网发电。大部分太阳能发电组件的输出电压为36V，输出功率在180～280W（根据 型号不同而定）之间。为了方便地实现逆变 （将 “太阳能组件”所发的直流电，转换成可以直接使用或并入 电网的交流电）一般将多块 “太阳能组件”串联使输出总电压为300～600V以上，根据发电站的规模，用若 干串联后的发电组，并联达到大功率发电。 管(第二代使用产品)我公司正在研究开发第三代MOS．D型太阳能光伏旁路二极管。 图2光伏旁路二结管防止电池片热斑烧毁的原理 太阳能行业目前主要执行的是GB厂r9535／IEC61215标准，该标准针对太阳能组件的多项试验，光伏二 极管是附随着太阳能组件一起经历的，光伏二极管的试验结果直接影响到太阳能组件的试验结果。 IEC61215第10．18给出了针对太阳能光伏旁路二极管的试验项目，其内容： lO．18旁路二极管热性能试验 lO．18．1目的 评价旁路二极管的热设计及防止对组件有害的热斑效应性能相对长期的可靠性。注：如果不能接触 到试验组件类型的旁路二极管，应准备一个特殊的样品来做本试验，旁路二极管的安装应与试验的标准组 件相同，但可以在试验过程中对该二极管进行温度测量。试验将照常进行。该样品不需要进行程序的其他 试验。 10．18．2装置 a)能加热组件(75士5)℃的装置。 ”测量和记录组件温度的仪器，准确度为士l℃。 c)测量组件提供的任何旁路二极管温度的装置，应注意尽量减少对二极管特性或热传导途径的改变。 d)在整个试验过程中，对组件通以等于标准测试条件下短路电流1．25倍电流，并监测通过组件电流的仪器。 根据太阳能光伏旁路二极管在组件试验中接受的试验条件，以及在长期行业内各阶层客户使用情况， 我们发现要验证太阳能光伏旁路二极管的可靠性及性能指标，除了引用原有普通二极管的国家标准以外， 还需要增加与太阳能行业标准相配套的其他试验项目，来验证太阳能光伏旁路二极管是否能够适应太阳能 发电系统的性能指标。随着太阳能发电技术的不断发展，新型光伏二极管的开发势在必行，制定一部全面 的、符合太阳能发电系统要求的产品标准，对增加太阳能发电系统的运行质量有着重要的意义。为此公司 制定了太阳能光伏二极管企业标准，并积极搜集产品资料和试验数据，起草和申请有关部门组织各位专家 进行指导讨论。 71 太阳能光伏旁路二极管在太阳能发电系统在使用要适应以下条件： 1．二极管安装在接线盒内，无通风条件，散热条件不佳； 2．适应世界各地的野外自然环境； 3．有较强的抗雷击和抗静电能力：． 4。较低的导通功耗，以保证接线盒塑料材料不因为过热而变形损坏； 5．较长的工作寿命，符合太阳能发电系统投入回收期限的期望。 太阳能组件目前大部分销往国外，有着较高的准入门槛，需要通过T【Ⅳ、UL等权威机构的认证。根据 标准要求，普通二极管已经不能适应单晶硅、多晶硅太阳能组件的使用要求，目前大量使用的是肖特基结 构大功率光伏二极管。 普通pn结二极管导通压降高，电流通过时正向功耗大，产生较高的温度，造成接线盒受热变形、二极 管自身热失效、金属电路连接件氧化等一系列的安全隐患。在单晶硅、多晶硅大功率太阳能组件上使用已 经不能达到太阳能标准的指标要求；目前仅使用于非晶薄膜发电组件，并逐步由GPP型光伏二极管取代。 (杰利半导体芯片制造厂已经生产)。 大功率肖特基光伏二极管具有导通压降低(普通PN结二极管导通压降的U2)、正向功耗低、工作温升低、 抗静电能力强、可靠性能高，广泛用于单晶硅／多晶硅发电组件；轴向二极管需求量较大，大电流贴片式封 装产品使用量增长迅速。 目前我公司正在研究开发MOS．D太阳能光伏旁路二极管，其正向导通压降较肖特基更低，反向漏电流 较小，ESD能力更强；