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课程：信息技术服务主讲人：汪松松wss7933@ 第二章 DIY组件2.2 内存 1. 内存简介 2. 内存市场状况 3. 内存的主要性能指标 4. 内存的安装与选购 5. 内存营销战略 6. 内存的未来 1. 内存简介 1.1 概念 内存：（Memory）也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。 结构：PCB板、SPD芯片和内存颗粒，其中以颗粒最为重要，内存的容量、频率等都由内存颗粒决定的。 1.2 CPU的地位 1.3 内存的发展 一、IC时代:(在8086，8088时期，1971-1982 )是被焊在主板上的想维修很困难，容量也很小64-256KB ，升级也极不方便 1.4 内存的分类 2 .内存的市场状况 3. 内存的主要性能指标 3.1存储器相关知识 逻辑结构与物理结构 物理存储器、地址空间、虚拟内存 SPD：SERIAL PRESENCE DETECT的缩写，中文意思是模组存在的串行检测。 金手指 3.2 主频 3.3 容量 内存容量同硬盘、软盘等存储器容量单位都是相同的，它们的基本单位都是字节（B），目前以4G内存应用为主，并且： 1024B=1KB=1024字节=2^10字节 1024KB=1MB=1048576字节=2^20字节 1024MB=1GB=1073741824字节=2^30字节 1024GB=1TB=1099511627776字节=2^40字节 1024TB=1PB=1125899906842624字节=2^50字节 1024PB=1EB=1152921504606846976字节=2^60字节 1024EB=1ZB=1180591620717411303424字节=2^70字节 1024ZB=1YB=1208925819614629174706176字节=2^80字节 3.4 内存通道 内存条数 是否是同一型号内存 北桥芯片有单独的内存控制器 3.5 工作电压 内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压也不同，但各自均有自己的规格，超出其规格，容易造成内存损坏。SDRAM内存一般工作电压都在3.3伏左右，上下浮动额度不超过0.3伏；DDR SDRAM内存一般工作电压都在2.5伏左右，上下浮动额度不超过0.2伏；而DDR2 SDRAM内存的工作电压一般在1.8V左右，DDR3在1.5V左右。 略微提高内存电压，有利于内存超频，但是同时发热量大大增加，有损坏硬件的风险。 4. 内存的安装与选购 5. 内存营销战略 6. 内存的未来 * 信息技术服务  信息技术系  二、SIMM时代：(1982-1988,80286 ) Single In-lineMemory Modules，单边接触内存模组接口， 30pin ，8bit，256K 30pin SIMM 内存 72pin SIMM内存 三、EDO DRAM内存时代: (1991-1995/Pentium ) Extended Date Out RAM，外扩充数据模式存储器内存，有两种72 pin和168 pin，4MB到32MB，32 位，5V，40ns 四、SDRAM时代(1997/Pentium II/Celeron ):Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称，是前几年普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与 EDO内存相比速度能提高50％。SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。 DDR：(2001-2004 )DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)简称DDR，双倍速率。 DDR2/DDR3:DDR3相比起DDR2有更低的工作电压， 从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度，尽管目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳。 一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计： 1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心