硅快恢复二极管V-%2cF-￣t-%2crr-兼容性研究.pdfVIP

硅快恢复二极管的VF～t。兼容性研究+ 游志朴 陈振 严莉 (四川大学物理系成都610064) 摘要 本文报道了对掺金(m-)，掺铂(Pt)和掺钯(Pd)二极管的正向压降～反恢时间兼容性的 实验研究结果。观测到掺Pd二极管的V，～t，，兼容性较掺Au，pt管更为良好，而按照Baliga 建立的快恢复二极管特性的理论分析，掺Pd硅二极管的Vr—t，，兼容性应最差。这一事实表 明，具体的器件结构和工艺对V，～t：，特性有很重要的影响，对此进行了初步分析和讨论。 一、引 言 开关电源已广泛地用于各类电子设备中，随着开关电源频率的提高要求=极管的反恢 时间t。大幅减小。工业生产中主要采用掺入重金属杂质来降低少子寿命从而得到短的反恢 时间t。。掺Au技术在六十年代已广为应用“1，t十代开展了掺pt工艺的应用o。同时Baliga 建立了最佳步子毒命控制杂质的选择理论9”，并用于解释了掺Au，掺Pt和电子辐照二极管 的v，～t。特性的差异‘6’。虽然掺Pd技术也是在七十年代提出的，由于按Baliga的理论，掺pd 二极管的vr～t，，特性最差”1，至今尚未见掺Pd二极管特性的实验研究和应用报道。 由于二极管的v，～t。特性表征了器件的速度和功耗的矛盾，要求将器件的Vr，t，都做得 最小，它是评价工艺技术的主要指标。 我们注意到，关于Au，Pt二极管的实验研究对象是对t，，在29s左右，功耗数千瓦的大电 流二极管“，；而对掺Pd管的工作中，只测试了扩Pd温度与t，，的关系，对掺Pd管的特性并未 的Vr～t。兼容性与器件的具体结构和测试方法有很大关系o’。考虑到这些情况，我们对参数 5A；t。0．06～0．缸s；V 指标为电流I。l r1．3V；反向电压V。600,／的快恢复二极管进行 了掺Au，Pt，Pd工艺的研究，本文简要报道了Vr～t。特性的部份结果。 二、实 验 -奉课题受国亲自然科学基金资助 564 n型基区宽度为80jam左右，为了保证试样浅杂质分布的一致性，取同批的50张3英寸片作 下一步掺金属的样片。 金属杂质的扩散在Nt气氛下进行，为得到各种大小的t，，值，分批次在不同温度F进行 镀Ni形成电极；将园片切割成芯片，其面积由要求的电流值决定；烧结引线后经腐蚀形成台 面；涂胶，塑封后得到掺各类金属的二极管样品。 极管正向峰值压降测试仪测量V，，精度为-FSmv。 三、实验结果 掺Au，Pt，Pd三种杂质的二极管的vF～t。特性如图所示。 9 岁 TRR(us) 掺Au、掺Pt、掺Pd硅：极管豹vF-_Tn兼容性曲线 -565 从图中可以看出掺Pd二极管的Vr～t。兼容性最好，当t。一0．0Bus时，相应的V，值为： 器件。 四、讨 论 按照Baliga的理论“”正向压降Vr与少子大注入寿命，m呈反比，而反恢时间与小注入 寿命饥呈正比，为了获得良好的兼容性要求大小注入寿命比tHL／吼愈大愈好，对n型材料可 导出 、“ 吒6 老2五硒茅荒曩事㈣l+ezp(警)+和zp(型·二舻) 式中E，为小注入条件下的费米能级位置；E。为禁带中心能位，E，为复合中心杂质的能 级位置，}=0．827》，唧，％分别为该能级对空穴和电子的俘获截面。根据(1)式掺Au，Pt二 极管的≥曲线，可以说明掺Au管的V，～t。特性优于掺Pt管的实验结果‘”。 对(1)式以E，为变量求极大值得到最佳能级位置为 E，；口；+婴z。(})