硅上外延SiGe组分渐变缓冲层双晶X射线研究.pdfVIP

可州?彦钲，／矽．，乒 堡上缝 渐变 缓冲层的双晶X射线研究。 卢焕明 叶志镇 汪 雷 黄靖云 赵炳辉 阙端麟 (浙江大学硅材料国家重点实验室，杭翔310027) 摘 要 用UHV／CVD法在780。C生长了组分渐变的缓冲层及外延层．缓冲层 顶层的应变基本上已完全驰豫，曩外层SiGe材料的、双晶X射线半高峰宽与单一成 分的SiC,e外延层比较要低得多，从而提高了外延层的晶体质量。 1前育 晶体质量的改善进行了研究。， 2实验I ． SiC,e／Si异质结构和越爵格由于在微电 子和光电子器件方面具有广阔的应用前景， 利用白行研制的UHV／CV,D，系统【3】，生 引起了人们的广泛关注【l】，外延层的应变驰 长了SiC,e组分渐变的缓冲层及‰．77c．e