硅基GaN外延层的调光电子能谱和二次离子质谱的研究.pdfVIP

基壶墨全璺固堡整箧茔垄金塑垒塞垒 !墅 硅基GaN外延层的x光电子能谱及 二次离子质谱的研究。 张吴翔叶志镇袁骏赵炳辉卢焕明汪雷阙端麟 (浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州 310027) 摘要 表面分析仪和二次离子质谱仪对外延层的组成进行了表面分析(定量)和深度剖析(定性)， 发现外延层Ga和N组份分布均匀，并存在少量由衬底扩散过来的硅及蒸发出来的Si02。 关键词： GaNX光电子能谱二次离子质谱 一、引言 GaN是一种重要的直接带隙半导体，它具有禁带宽度大，热稳定性及化学稳定性好， 热导率高及电子极限漂移速度大等优点。因此在制备蓝紫光光电子器件如光发射二极管 极为困难．因此在异质衬底上G甜的外延生长就成为研究GaN材料和器件的主要手段。近年 蓝色发光二管[5]及激光器[6]． 昂贵，为了制各大面积的GaN薄膜，硅片被认为是制备G“的较为理想的衬底，因为它具 有许多优点，比如高质量的单晶，大尺寸，低价格等优点，但是硅辛寸底与GaN相比，也有 了新的认识，在探索新的G8N材料生长技术的同时，也探索在硅衬底上长GaN的工艺。