氧气气氛下退火处理对ITO薄膜性能的影响.pdfVIP

第 33卷第 5期 河南理工大学学报 (自然科学版) V01．33 NO．5 2014年 l0月 JOURNALOFHENANPOLYTECHNICUNIVERSITY(NATURALSCIENCE) 0ct．2O14 氧气气氛下退火处理对 ITO薄膜性能的影响 曹国华 ，蔡红新 ，张宝庆 ，李 明 ，康朝阳 (1．河南理工大学 物理化学学院，河南 焦作 454000；2．河南理工大学 材料科学与工程学院，河南 焦作 454000) 摘要：采用AFM，XPS，Hall等手段分析 了氧气气氛下退火处理对 ITO薄膜性质的影响，并用处 理的 ITO制作 了有机电致发光器件．结果表 明，退火处理后 ITO薄膜的表面粗糙度增加 ，光学 透过率降低．ITO薄膜经0．5h退火后 电阻率增大了近 2倍 ，对有机半导体材料的空穴注入能 力显著提高，相应的有机发光器件性能得到明显改善．ITO薄膜光电性能的变化归因于ITO表 面化 学组分的改变． 关 键 词 ：ITO；表面化学组分 ；退火处理 中图分类号 ：0484 文献标识码 ：A 文章编号2014)05-0671-04 Influenceofannealingtreatmentin02atmosphereonpropertiesof ITO thin film CAO Guo—hua ，CAIHong—xin。ZHENG Bao．qing ，LIMing ，KANG Chao．yang。 ， (1．SchoolofPhysicsandChemistry，HenanPolytechnicUniversity，Jiaozuo454000，Henan，China；2．SchoolofMaterialScienceandTechnology HenanPolytechnicUniversity，Jiaozuo454000，Henan，China) Abstract：TheinfluenceofannealingtreatmentinO2atmosphereonthepropertiesofindium．tin．oxide(ITO) film wasinvestigatedbyAFM ，XPSand Halltechniques．Afterannealing，theroughnessofITO thinfilm was increased，andtheopticaltransmittancewasalittledecreased．TheresistivityofITOthinfilm annealingforhalf anhourwasnearlytripled．Moreover，theholeinjectionfrom ITOthinfilm intoorganicsemiconductorwassig． nificantlyenhancedviaannealing，andtheperformanceoforganiclightemittingdiodewasimprovedmuch ． The variationoftheopticalandelectricalpropertiesofITO canbeattributedtothefactthattheannealingtreatment changethechemicalcompositionofthesurface． Keywords：ITO；chemicalcomposition ofsurface；annealingtreatment 长在 ITO表面上，所 以ITO表面特性 (如功函数 、 0 引 言