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第34卷 增刊1 稀有金属材料与工程 Vol
34，Suppll
2005年 6月 RAREMETALMArER【^LSANDE]NGINEER时G June2呻5
铬掺杂PMS．PZT压电材料的研究
孙清池，陆翠敏，徐明霞，朱宏亮
(天津大学，天津300072)
摘要：采用固相法制各铬掺杂PMSZT压电陶瓷，研究了在不同烧结温度下铬掺杂PbL04(MnlBSb2n)o帖Zr，Tio9如03+：％
结果表明，Cr203掺杂o
=1650，tan5=0
006，击]-328pC／N，岛20．63，Qm22300。
关键词：PMSZT压电陶瓷；相组成；显微结构；电性能
中图法分类号：TM282 文献标识码： A 文章编号：1002．185X(2005)S1．0934．03
采用排水法测量烧成密度。根据传输线路法测量
1 引 言
谐振频率工、反谐振频率工以及相应的等效阻抗z。，
自从Jaffe[1,21等人成功的从PbTi03(铁电体，四
通过查表和计算求出机电耦台系数凰和机械品质因
方)和PbZr03(反铁电体，斜方)的固溶体中得到
Pb(ZrTi)03(PZT)陶瓷后，PZT陶瓷以其优良的品质
被广泛应用于压电、热电、铁电器件例如换能器、变
压器、电脑的记忆显示器件[3,41。目前，以PZT固溶体
为基础改性掺杂后的多元系压电陶瓷在大功率压电器
件领域有广泛的应用。常见的掺杂方式有软性掺杂， 观察。
硬性掺杂。cr同时具有受主掺杂和施主掺杂的某些特
3结果与讨论
性，突出一点就是它可以提高时间稳定性和温度稳定
性』。本实验的主要目的是研究Cr掺杂PMS．PZT压
电陶瓷的烧结性能。通过XRD，SEM一些常规的测Pbl 05zkTio
04(Mn¨3sbⅣ3)o
试手段，从微观的角度阐述了其规律。 x射线衍射图。由图可知本实验中采用两次合成法可
2实验
四方相和三方相共存的一个区域，两相能量接近，但
实验选择的配方是：Pbl
04(MnlnSb2，3)005zkno95。
03+：％(质量分数，下同)Cr203，“=0．45～0．485，z=0．2
一O．8)。所用原料为Pb304，sb203，Mn02，Zr02，Ti02，
Cr203纯度均大于99％。样品采用二次工艺制备。将
氧化物粉料按化学计量比混合，湿法球磨4h，干燥后
j{宣目u_旦
过筛，在A1203坩埚中密封预烧2h。过筛后添加
7％PVA，加压制成庐10minxl．3mm的圆片，750℃下
排胶。试样在1220℃～1260℃下进行密封埋料烧成，
保温2h。烧好的样品研磨至厚约Imm、超声波清洗后 2州6)
被覆银电极．烧银温度850℃，最后在硅油中极化 图I合成粉末的XRD图谱
l TheXRD for
30min，极化好的样品
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